一种薄膜晶体管TFT阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种TFT阵列基板及显示装置，在现有TFT结构的基础上，在TFT的钝化层上增加位于半导体层上方的第二栅极，在TFT工作时，新增的第二栅极通电后，在其下方的半导体层中会形成一条电流通道，而TFT原有的第一栅极通电后也会在半导体层中形成一条电流通道，即在半导体层中会形成两条电流通道，这样，在不增加栅线的栅扫描信号强度前提下，提升了TFT半导体层整体的导通电流量；并且，由于该新增的第二栅极设置在半导体层的上方，不会增加整个TFT结构占用像素单元的大小，因此不会降低像素单元的开口率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

—种薄膜晶体管TFT阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管TFT阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，随着液晶显示技术的发展，对液晶面板中的TFT开关的导通电流量要求越来越高。如图I和图2所示，在现有的液晶面板中TFT阵列基板的TFT是由依次设置在衬底上的栅极I、半导体层3、源极4和漏极5组成，其中，栅极I与栅线8电性相连，栅极I通过栅绝缘层2与半导体层3隔离，源极4与数据线9电性相连，漏极5通过钝化层6上的过孔与像素电极7电性相连，源极4和漏极5相对而置形成沟道结构。其工作原理为在栅线8加载栅扫描信号时，与其电性连接的栅极I通电，这样在栅极上方的半导体3会从半导体状态变为导体状态，半导体3的电荷会沿栅绝缘层表面进行移动，如图3a所示，即在半导体层3内的栅绝缘层2表面形成一条电流通道a，该电流通道a能够通过的电流量称为导通电流量(Ion)，电流通道a能使数据线9加载到源极4的电信号通过漏极5流动到像素电极7上，使像素单元处于开启状态。而在栅线8未加载栅扫描信号时，如图3b所示，半导体层3内无电流通道a，数据线9加载到源极4的电信号不能通过源极4流动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括：依次设置在衬底上的第一栅极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极以及钝化层，其特征在于，还包括：设置在所述钝化层之上、且位于所述半导体层上方的第二栅极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括依次设置在衬底上的第一栅极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极以及钝化层，其特征在于，还包括设置在所述钝化层之上、且位于所述半导体层上方的第二栅极。2.如权利要求I所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二栅极通过过孔与所述TFT 阵列基板中对应的栅线电性相连。3.如权利要求I或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二栅极为透明导电材料或金属材料。4.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹雄宣，李正勳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：