一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以在保证源电极电容不变的情况下增大薄膜晶体管导电沟道宽度，提高薄膜晶体管的性能，从而提高图像画质。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
在显示
,平板显示装置,如液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)和有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display, 0LED),因其轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。其中，作为像素开关器件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的特性对高画质显示装置起着重要的作用。TFT作为开关器件的工作原理简述如下当为TFT的栅电极施加相对于地GND的 电压Vg(简称栅电极电压)时，TFT的栅电极和与数据线相连的漏电极之间会产生一个电场，TFT在该电场的作用下形成的电子沟道使与像素电极相连的源电极与所述漏电极通过TFT的半导体层导通，栅电极和源电极之间的正向电压差(也即阈值电压Vth)越大，导电沟道越宽，导通电流也越大，对像素电极的充电能力也越强；当为TFT的栅电极施加相对于地GND的负电压时，源电极与漏电极关闭，这就是TFT的开关特性。对像素电极的充电能力越高，可以使得像素电极彻底充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括 基板； 形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层； 形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。2.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于， 所述栅电极位于所述基板上； 所述栅电极保护层位于所述栅电极上； 所述半导体层位于所述栅电极保护层上； 所述刻蚀阻挡层位于所述半导体层上； 所述源电极和漏电极位于所述刻蚀阻挡层上。3.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于， 所述半导体层位于所述基板上； 所述刻蚀阻挡层位于所述半导体层上； 所述源电极和漏电极位于所述刻蚀阻挡层上； 所述栅电极保护层位于所述源电极和漏电极上； 所述栅电极位于所述栅电极保护层上。4.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括两个漏电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海鹏，尹傛俊，涂志中，金在光，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：