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本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以在保证源电极电容不变的情况下增大薄膜晶体管导电沟道宽度，提高薄膜晶体管的性能，从而提高图像画质。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；形成在...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司授权不得商用。