包括纳米导体层的薄膜晶体管制造技术

一种具有包括纳米导体层的沟道区的薄膜晶体管。所述纳米导体层可以是由碳形成的纳米管或纳米线的分散的单层。所述薄膜晶体管通常包括通过介电层来绝缘的栅极端子。将所述纳米导体层放置在所述介电层上，并且在所述纳米导体层上方生成一层半导体材料以形成所述薄膜晶体管的所述沟道区。然后将漏极端子和源极端子形成在所述半导体层上。在低场效应水平下，所述薄膜晶体管的操作由所述半导体层来支配，从而提供良好的泄漏电流性能。在高场效应水平下，所述沟道区的电荷转移特性通过所述纳米导体层得以增强，从而增强所述薄膜晶体管的有效迁移率。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体涉及薄膜晶体管，并且更具体来说，涉及具有包括纳米线或纳米管的沟道区的薄膜晶体管。
技术介绍
显示器可以由有机发光装置(“OLEDs”)的阵列形成，每个有机发光装置都由单个电路(即，像素电路)控制，这些单个电路具有用于选择性地控制所述电路的晶体管，从而用显示信息编程并且根据显示信息来发光。制作在衬底上的薄膜晶体管(“TFTs”)可以被并入这些显示器中。迁移率表征载流子在电场存在下的反应性。迁移率通常以单位cm2/Vs表示。对于晶体管来说，沟道区的迁移率提供了晶体管“接通”电流(例如，该电流可以由晶体管供应)时的性能的度量。在薄膜晶体管中，通常利用半导体材料层来形成沟道区。OLED显示装置的发展因为像素电路中对于合适的驱动晶体管的需求而受到了挑战。作为源于电压来切换AM-LCD像素的晶体管沟道材料的非晶硅(a-Si)具有较低的迁移率( 0. lcm2V-ls-l)0有机半导体沟道材料因其均质性、低成本和可以进行沉积的手段多样，而十分适合用作像素电路驱动晶体管，但所述有机半导体沟道材料的最佳迁移率与a-Si的迁移率相似。在典型的TFT结构中，低迁移率沟道层需要较大的源极-漏极电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包括：栅极端子、漏极端子和源极端子；以及双层沟道区，其包括：半导体层，其具有紧邻所述漏极端子和所述源极端子的第一侧，和紧邻所述栅极端子的第二侧，以及纳米导体层，其与所述半导体层的所述第二侧直接相邻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈尔拉玛瑞扎·恰吉，马丽安·莫拉迪，
申请(专利权)人：伊格尼斯创新公司，
类型：发明
国别省市：