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一种具有包括纳米导体层的沟道区的薄膜晶体管。所述纳米导体层可以是由碳形成的纳米管或纳米线的分散的单层。所述薄膜晶体管通常包括通过介电层来绝缘的栅极端子。将所述纳米导体层放置在所述介电层上，并且在所述纳米导体层上方生成一层半导体材料以形成所述...
该专利属于伊格尼斯创新公司所有，仅供学习研究参考，未经过伊格尼斯创新公司授权不得商用。

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