【技术实现步骤摘要】
用于使像素电路均衡化的方法和系统本申请是申请日为2016年1月6日、专利技术名称为“提取有机发光器件的相关曲线的系统和方法”的申请号为201610007145.3的专利申请的分案申请。
本专利技术大体上涉及使用诸如OLED之类的发光器件的显示器,且更具体地涉及为了补偿发光器件的老化而在此类显示器中提取不同应力条件下的特性相关曲线。
技术介绍
相对于常规液晶显示器,有源矩阵有机发光器件(AMOLED)显示器提供了更低的功耗、制造灵活性和更快的刷新速率的优点。与常规液晶显示器相比,AMOLED显示器中不存在背光,这是因为每个像素由独立发光的不同颜色的OLED构成。OLED基于由驱动晶体管提供的电流发光。驱动晶体管通常是薄膜晶体管(TFT)。每个像素的功耗与该像素中产生的光的大小具有直接的关系。在有机发光二极管器件的运行期间,其遭受劣化,这导致恒定电流下的光输出随着时间减小。OLED器件还遭受电学劣化,这导致恒定偏置电压下的电流随着时间降低。这些劣化基本上是由与OLED上的施加电压的大小和持续时间以及由此在该器件中产生的电流相关的应力引起的。这类劣化由于诸如温度、湿度或氧化剂的存在之类的环境因素的随时间的贡献而混合在一起。薄膜晶体管器件的老化速率也依赖于环境和应力(偏置)。针对先前数次存储的像素历史数据来校准像素,以确定像素上的老化效应,从而可适当地确定像素晶体管和OLED的老化。因此,在显示装置的整个寿命期间需要精确的老化数据。在一种OLED显示器补偿技术中,提取像素面板的老化(和/或均匀性)并将 ...
【技术保护点】
1.一种用于使像素电路阵列中的像素电路均衡化的方法,所述像素电路包括在不同的环境和应力条件下有差异地老化的半导体器件,所述方法包括:/na)在使用周期期间,使用控制器创建所述像素电路的应力历史,所述应力历史包括与所述像素电路已经经受的应力的历史相关的数据;/nb)在所述使用周期期间或所述使用周期之后,使用电压传感器、电流传感器和光传感器中的至少一者从所述像素电路阵列中提取像素参数;/nc)基于所提取的所述像素参数和所述应力历史,使用所述控制器更新所述像素电路阵列的应力图案;/nd)根据所述应力图案,使所述像素电路受到应力;/ne)使用所述电压传感器、所述电流传感器和所述光传感器中的至少一者从受到应力的所述像素电路中提取所述像素参数;/nf)使用所述控制器确定从受到应力的所述像素电路中提取的所述像素参数是否处于预先选择的范围内;且/n当所述像素参数不处于预先选择的范围内时:更新所述应力历史,并且重复步骤c)至f);且/n当所述像素参数处于预先选择的范围内时,使所述像素电路阵列返回到正常操作。/n
【技术特征摘要】
20150106 US 14/590,1051.一种用于使像素电路阵列中的像素电路均衡化的方法,所述像素电路包括在不同的环境和应力条件下有差异地老化的半导体器件,所述方法包括:
a)在使用周期期间,使用控制器创建所述像素电路的应力历史,所述应力历史包括与所述像素电路已经经受的应力的历史相关的数据;
b)在所述使用周期期间或所述使用周期之后,使用电压传感器、电流传感器和光传感器中的至少一者从所述像素电路阵列中提取像素参数;
c)基于所提取的所述像素参数和所述应力历史,使用所述控制器更新所述像素电路阵列的应力图案;
d)根据所述应力图案,使所述像素电路受到应力;
e)使用所述电压传感器、所述电流传感器和所述光传感器中的至少一者从受到应力的所述像素电路中提取所述像素参数;
f)使用所述控制器确定从受到应力的所述像素电路中提取的所述像素参数是否处于预先选择的范围内;且
当所述像素参数不处于预先选择的范围内时:更新所述应力历史,并且重复步骤c)至f);且
当所述像素参数处于预先选择的范围内时,使所述像素电路阵列返回到正常操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述像素参数包括各个有源像素电路中的驱动晶体管的阈值电压。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述像素参数包括亮度水平。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述像素参数包括各个像素电路的电流输出。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述像素参数包括在整个所述像素电路阵列上的所述像素参数之间的差异。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤d)包括使用电流源向所述像素电路施加应力。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述应力历史包括应力时间和应力水平。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述应力历史包括在所述使用周期期间各个像素电路的平均应力条件。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,步骤e)与步骤d)同时进行。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤d)之后进行步骤e)。
11.一种系统,其包括:
多个像素电路,所述多个像素电路用于显示图像,所述像素电路各自包括在不同的环境和...
【专利技术属性】
技术研发人员:戈尔拉玛瑞扎·恰吉,里基·依克·黑·奈根,尼诺·扎西洛维奇,
申请(专利权)人:伊格尼斯创新公司,
类型:发明
国别省市:加拿大;CA
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