一种存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种存储装置。该存储装置包括：基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的漏极；位于所述基板上的浮置栅极介电层；位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属；位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；以及位于所述选择栅极介电层上的选择栅极，所述选择栅极包含金属。本实用新型专利技术的闪速存储器单元利用金属局部互连技术。具体地，就制造工艺已经与适当的金属局部互连一起获得了高K金属栅极氧化物层来说，嵌入式闪存单元的一些实施方式可以以很少至没有另外的工艺并没有另外的掩模的方式制造。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术的公开内容通常涉及半导体，更特别地涉及嵌入式闪速存储器(快闪存储器，闪存，embedded flash memory)
技术介绍
考虑到对于计算能力和数据存储的需求日益增加，基于半导体的存储器现在变得无处不在。考虑到这些装置的普及，正在进行努力以改善制造工艺以及所得的半导体装置。
技术实现思路
根据本技术的实施方式，提供了一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的漏极；位于所述基板上的浮置栅极介电层；位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属；位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；以及位于所述选择栅极介电层上的选择栅极，所述选择栅极包含金属。根据本技术的存储装置，其特征在于，用于将所述源极与所述漏极电耦接。根据本技术的存储装置，其特征在于，用于将电流传输至所述选择栅极。根据本技术的存储装置，其特征在于，所述存储装置还包括局部互连金属以将电流传输至所述选择栅极。根据本技术的实施方式，提供了一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括包含金属的浮置栅极；包含金属的选择栅极；以及设置在所述浮置栅极与所述选择栅极之间的介电层。根据本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括：基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的漏极；位于所述基板上的浮置栅极介电层；位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属；位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；以及位于所述选择栅极介电层上的选择栅极，所述选择栅极包含金属。

【技术特征摘要】
2012.03.21 US 13/425,5751.一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括 基板； 位于所述基板上的源极； 位于所述基板上的漏极； 位于所述基板上的浮置栅极介电层； 位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属； 位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；以及 位于所述选择栅极介电层上的选择栅极，所述选择栅极包含金属。2.根据权利要求I所述的装置，其特征在于，所述存储装置还包括将电流传输至所述选择栅极的局部互连金属。3.一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括 包含金属的浮置栅极； 包含金属的选择栅极；以及 设置在所述浮...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏维，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：实用新型
国别省市：