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本发明提供一种薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的沟道层、栅极、形成于栅极与沟道层之间的栅绝缘层、以及分别位于沟道层左右两边并与沟道层相导通的源极和漏极，所述沟道层的材料为氮化物半导体材料。采用氮化物半导体作为沟道层，可以提高薄膜晶体管的性...该专利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司授权不得商用。