下载半导体装置及其制造方法的技术资料

文档序号:8490872

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本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备:第一导电型的半导体层;第二导电型的第一半导体区域,设置在所述半导体层之上;以及第一导电型的第二半导体区域,选择性地设置在所述第一半导体区域的表面。并且,在所述半导体层设置的沟槽的内...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。

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