具有异质结结构的GaN基p型场效应管制造技术

本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利有关GaN基半导体器件领域，具体是指在具有GaN与AlGaN异质结结构的材料上设计与制备P型GaN场效应管(文中用p-FET符号表示)。
技术介绍
GaN基材料因其可变的带宽(从3.4eV连续变化到6.2eV)、稳定的物理和化学性能，能够制备出响应波长处于365nm变化到200nm的本征型紫外探测器，器件响应波长恰好覆盖200?280nm波段的紫外光(太阳盲紫外或日盲紫外一波长在280nm以下的太阳辐射紫外线几乎不能到达地球表面)。紫外传感器阵列(特别是凝视型焦平面阵列)能够应用于成像系统，准确地判断目标，随着紫外技术的发展，成像系统对焦平面器件规模化要求越来越高(从最初的单元器件到320 X 256)，因此，焦平面器件性能与规模成了人们的关注焦点。但是，目前来看，紫外焦平面器件的光敏元与外界电路之间是靠基于CMOS工艺的读出电路相连，因此读出电路性能至关重要，影响着整个紫外探测器性能的发挥。但是，随着器件规模的增加，器件的光敏元在减小，较小的光敏元尺寸给读出电路的性能也提出了新要求。借鉴Si成像器件的发展情况，如CMOS成像器件具有它自身的优点，光线接收器与光信号读本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，其特征在于：所述场效应管的结构为:在具有异质结结构的多层外延材料上通过电子束蒸发制备源端电极(1)、漏端电极(4)和栅电极(3)，从而得到利用空穴导电的场效应管器件；场效应管衬底为Al2O3衬底(8)，多层外延材料为在AlGaN材料(7)上依次外延生长的p型AlGaN(6)和p型GaN(5)，其中：p型GaN层的厚度为10nm～30nm；p型AlGaN层的厚度为0.1μm～0.3μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛世伟，王玲，李晓娟，王继强，谢晶，张燕，刘诗嘉，李向阳，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31