一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板及显示装置，主要内容包括：在阵列基板的栅绝缘层和有源层之间设置空穴阻挡层，且该空穴阻挡层在阵列基板上的正投影至少与有源层在阵列基板上的正投影相重合，从而，通过空穴阻挡层阻挡了栅绝缘层与有源层相接触，避免导电沟道中的电子被栅绝缘层中的空穴捕获而导致增大TFT的开启电压以及降低TFT的电学性能，保证了TFT开启电压以及TFT电学性能的稳定，进而提升显示质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术设及显示
，尤其设及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
在现有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板制备工艺中，通常是 在栅绝缘层上方直接采用构图工艺制备有源层，然后依次形成源漏极、纯化层等。 采用该工艺方法制备而成的TFT阵列基板，当给栅极施加电压时，由于受到电场的 作用，栅绝缘层内的空穴会转移到栅绝缘层与有源层的接触界面处，运些位于栅绝缘层与 有源层的接触界面处的空穴必然会捕获导电沟道中的电子，进而造成TFT开启电压增大，不 利于TFT的稳定，削弱了 TFT的电学性能，不利于显示质量的提升。
技术实现思路
本技术实施例提供一种阵列基板及显示装置，用W解决现有技术中存在的由 于栅绝缘层内的空穴转移到栅绝缘层与有源层的接触界面处而导致TFT电学性能下降的问 题。 本技术实施例采用W下技术方案： -种阵列基板，包括:衬底基板、栅极、栅绝缘层、有源层W及源漏极，还包括:位于 所述栅绝缘层与所述有源层之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层在所述阵列基板上 的正投影至少覆盖所述有源层在所述阵列基板上的正投影。 通过上述技术方案，在栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板、栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏极，其特征在于，还包括：位于所述栅绝缘层与所述有源层之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述阵列基板上的正投影。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，丁远奎，汪军，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34