一种肖特基接触有机光敏场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种肖特基接触有机光敏场效应管的结构。其技术要点在于，它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。其结构可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触。对于p-型有机光敏沟道材料，选用低功函数金属(例如铝、镁，等)作为漏极和源极，以形成空穴肖特基接触；对于n-型有机光敏沟道材料，选用高功函数金属(例如铂、金，等)作为漏极和源极以形成电子肖特基接触。源漏极与有机光敏沟道形成的肖特基接触，增大了无光照时漏源极之间的阻抗，极大地降低了暗电流，而光电流仅略有减小。因此本实用新型专利技术的肖特基接触有机光敏场效应管具有暗电流小、光电流/暗电流比大的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机光敏场效应管制造方法，尤其是一种肖特基接触光敏场效应管的制造，属于固体电子器件

技术介绍
有机光敏场效应管通常由衬底、栅极、栅介质、有机光敏沟道材料、源极和漏极组成。大部分有机半导体材料属于单载流子传输型，即它对一种载流子的迁移率远远大于对另一种载流子的迁移率。通常电子迁移率远远大于空穴迁移率的材料称为电子传输型材料，简称η-型材料，而空穴迁移率远远大于电子迁移率的材料称为空穴传输型材料，简 称P-型材料。在有机半导体中，电子在最低未占据轨道(lowest unoccupied molecularorbital) - (LUMO)上传输，而空穴在最高已占据轨道(highest occupied molecularorbital)-(HOMO)上传输。有机光敏场效应管通常采用底栅顶接触、底栅底接触、顶栅顶接触、顶栅底接触四种结构。在底栅底接触结构中，源漏电极在绝缘层与有机半导体之间，可以通过传统的光刻工艺图形化源漏电极，因此器件沟道长度可以做到I μ m以下。在底栅顶接触结构中，半导体层淀积在绝缘层之上，在半导体层上面再制备金属电极形成源漏接触，顶接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基接触有机光敏场效应管，其特征在于它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基接触有机光敏场效应管，其特征在于它的源极和漏极与有机光敏沟道材料形成肖特基接触。2.权利要求I所述的肖特基接触有机光敏场效应管，其特征在于当有机光敏沟道材料为P-型时，采用低功函数金属制作源极和漏极，使源极-有机光敏沟道材料，以及漏极-有机光敏沟道材料形成空...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭应全，吕文理，谢吉鹏，杨汀，姚博，陈德强，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：实用新型
国别省市：