光电转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种窗层中的光吸收损失少且转换效率高的光电转换装置。一种光电转换装置，其中在结晶硅衬底的一个表面上包括第一硅半导体衬底、透光半导体层以及部分性地形成在上述透光半导体层上的第二硅半导体层及第一电极，而在该结晶硅衬底的另一个表面上包括第三硅半导体层、第四硅半导体层及第二电极。该透光半导体层由有机化合物和无机化合物构成。

【技术实现步骤摘要】
光电转换装置
本专利技术涉及一种具有包含有机化合物及无机化合物的窗层的光电转换装置。
技术介绍
近年来，作为地球变暖对策，发电时不排出二氧化碳的光电转换装置备受瞩目。作为上述光电转换装置的典型例子，已知使用单晶硅、多晶硅等结晶硅衬底的太阳能电池。在使用结晶硅衬底的太阳能电池中，广泛地使用具有所谓同质结（homojunction）的结构，其中在该结晶硅衬底的一个表面一侧通过扩散杂质来形成其导电型与该结晶硅衬底的导电型不同的层。另外，也已知如下结构，其中在结晶硅衬底的一个表面上使其光学带隙及导电型与该结晶硅衬底不同的非晶硅成膜来形成异质结（heterojunction）（参照专利文献1、2）。[专利文献1]日本专利申请公开平4-130671号公报[专利文献2]日本专利申请公开平10-135497号公报。在上述光电转换装置的结构中，因为作为窗层使用结晶硅或非晶硅，所以在该窗层中发生光吸收损失。虽然在窗层中也产生光载流子，但是在窗层内少数载流子易重新结合，能够作为电流取出的光载流子的大部分产生在与p-n结相比位于背面电极一侧的结晶硅衬底内。即，因为实质上不利用在窗层中被吸收的光，所以窗层优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换装置，包括：结晶硅衬底；所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层；所述第一硅半导体层上的透光半导体层；部分性地形成在所述透光半导体层上的第二硅半导体层；以及形成在所述第二硅半导体层上的第一电极，其中，所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。

【技术特征摘要】
2011.07.21 JP 2011-1597971.一种光电转换装置，包括：结晶硅衬底；所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层，所述第一硅半导体层部分地覆盖所述结晶硅衬底的表面；所述第一硅半导体层上的第二硅半导体层；所述第二硅半导体层上的第一电极；以及覆盖所述结晶硅衬底、所述第一硅半导体层、所述第二硅半导体层及所述第一电极的透光半导体层，其中，所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物，并且所述透光半导体层与所述结晶硅衬底直接接触。2.一种光电转换装置，包括：结晶硅衬底；所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层；所述第一硅半导体层上的第二硅半导体层，所述第二硅半导体层部分地覆盖所述第一硅半导体层；所述第二硅半导体层上的第一电极；以及覆盖所述结晶硅衬底、所述第一硅半导体层、所述第二硅半导体层及所述第一电极的透光半导体层，其中，所述透光半导体层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：