一种扁桥芯片塑封方法技术

本发明专利技术公开一种扁桥芯片塑封方法，涉及芯片塑封技术领域，包括以下步骤：S1：将芯片放置于框架上，放置时，芯片的中心线与框架的侧边呈夹角α，30

【技术实现步骤摘要】
一种扁桥芯片塑封方法


[0001]本专利技术涉及芯片塑封
，尤其涉及一种扁桥芯片塑封方法。

技术介绍

[0002]扁桥是一种整流元件，其将多个整流管封装至一个本体内，使其构成一个完整的整流电路。
[0003]在现有的扁桥封装过程中，往往采用胶道流向的方式进行环氧塑封，同时会根据环氧胶道流向的方式定义相关压力等参数，整个塑封的过程中会有应力产生。现有的塑封方式存在以下问题：（1）现行塑封是双料筋流向，相对塑封压力参数会大，因此产生的应力会大，同时双料筋环氧料耗用多；（2）进胶口方式直接对准芯片边缘冲击，会至芯片开裂；容易影响产品的质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种扁桥芯片塑封方法，解决了现有技术中扁桥的塑封工艺容易造成芯片开裂，从而影响产品质量的技术问题。
[0005]本申请实施例公开了一种扁桥芯片塑封方法，包括以下步骤：S1：将芯片放置于框架上，放置时，所述芯片的中心线与所述框架的侧边呈夹角α，30
°
≤α≤60
°
，然后放置跳线，进行焊接，得到框架组件；S2：将所述框架组件放置于预热台上预热，同时对环氧树脂进行预热；S3：将预热后的框架组件放置于塑封装置的下模上，启动塑封装置，调整合模压力后，使得塑封装置的下模下移，完成合模；S4：在合模过程中，将预热后的环氧树脂加入所述塑封装置的料筒中，调整转进压力后，完成进胶和固化，形成半成品；S5：切出半成品中多余的筋料，制得扁桥芯片的成品。
[0006]本申请对芯片的放置角度进行改进，避免芯片受到冲击，影响产品质量。
[0007]在上述技术方案的基础上，本申请实施例还可以做如下改进：进一步地，所述步骤S2中，所述框架组件预热的温度为160℃
‑
180℃，预热时间为5
‑
10S；所述环氧树脂预热的温度为30
‑
40℃，预热时间为20
‑
40S，采用本步的有益效果是通过预热能够减少应力，从而保证产品质量。
[0008]进一步地，所述步骤S3中合模时，合模压力的重量为130Kg
‑
150Kg，所述步骤S4中转进压力为57Kg
‑
77Kg，通过控制压力，能够避免产品开裂。
[0009]进一步地，所述步骤S4中的半成品为单料筋框架，采用本步的有益效果是通过单料筋走向，能够减少应力的产生。
[0010]进一步地，所述步骤S3中，所述框架组件放置于所述塑封装置的下模上时，所述下模的进胶口偏离所述框架组件的芯片，采用本步的有益效果是避免芯片开裂。
[0011]进一步地，所述步骤S4中的固化温度为160℃
‑
180℃，时间为60
‑
70S。
[0012]本申请实施例中提供的一个或者多个技术方案，至少具有如下技术效果或者优点：1.本申请通过调整框架中芯片方向，避让胶水直冲芯片边缘，从而减少芯片开裂的情况。
[0013]2.本申请对下模的进胶口进行设计，使其避开芯片的位置，能够有效避免芯片开裂情况的发生。
[0014]3.本申请能够优化塑封参数，降低塑封应力。
[0015]4.本申请采用单料筋走向，能够降低耗用，节省成本。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本专利技术具体实施例所述的一种扁桥芯片塑封方法的工艺流程图；
具体实施方式
下面将结合附图对本专利技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域技术人员所理解的通常意义；本申请中的塑封装置显示Kg，指的是公斤/平方厘米。
[0018]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体实施方式对上述技术方案进行详细说明。
[0019]实施例1：如图1所示，本申请实施例公开了一种扁桥芯片塑封方法，通过改变框架中芯片的安装位置和相应塑封加工时的温度，从而减少芯片开裂情况的发生，以此保证产品的质量；其具体步骤如下：S1：将芯片放置于框架上，放置时，所述芯片的中心线与所述框架的侧边呈夹角α，α为30
°
，然后放置跳线用于连接相应的芯片，最后进行焊接，得到框架组件；本实施例中的框架组件相比较现有的框架组件，改变了芯片的具体布置方式，即使得芯片成菱形放置，即芯片的侧面不与框架的侧边平行，这样胶水在流动时，是先经过的芯片的角，然后流动至芯片的侧边，以此避免冲击，从而有效避免芯片开裂，从而保证产品质量；具体的焊接温度及时间为现有技术，此处不再赘述；S2：将所述框架组件放置于预热台上预热，同时对环氧树脂进行预热；具体地，框架组件的预热温度为160℃，预热时间为5S，利用该温度可以实现框架材料的膨胀应力释放，从而避免芯片的开裂；而环氧树脂的预热是通过预热机进行预热，预热的温度为30℃，预热的时间为20S；
S3：将预热后的框架组件放置于塑封装置的下模上，启动塑封装置，调整合模压力后，使得塑封装置的下模下移，完成合模；在合模时，合模的压力为130Kg；S4：在合模过程中，将预热后的环氧树脂加入所述塑封装置的料筒中，调整转进压力后，完成进胶和固化，形成半成品；在转进时（进胶），该转进压力为57Kg；同时固化的温度为160℃，时间为60S；S5：切出半成品中多余的筋料，制得扁桥芯片的成品。
[0020]本申请对塑封装置的下模进行设计，设计为单料筋下模，同时下模的进胶口避开所述框架组件的芯片所处区域。
[0021]实施例2：针对于实施例1，本申请对内部相应的技术参数进行改进，具体步骤如下：S1：将芯片放置于框架上，放置时，所述芯片的中心线与所述框架的侧边呈夹角α，α为40
°
，然后放置跳线用于连接相应的芯片，最后进行焊接，得到框架组件；S2：将所述框架组件放置于预热台上预热，同时对环氧树脂进行预热；具体地，框架组件的预热温度为170℃，预热时间为8S，利用该温度可以实现框架材料的膨胀应力释放，从而避免芯片的开裂；而环氧树脂的预热是通过预热机进行预热，预热的温度为35℃，预热的时间为30S；S3：将预热后的框架组件放置于塑封装置的下模上，启动塑封装置，调整合模压力后，使得塑封装置的下模下移，完成合模；在合模时，合模的压力为140Kg；S4：在合模过程中，将预热后的环氧树脂加入所述塑封装置的料筒中，调整转进压力后，完成进胶和固化，形成半成品；在转进时（进胶），该转进压力为67Kg；同时固化的温度为170℃，时间为70S；S5：切出半成品中多余的筋料，制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扁桥芯片塑封方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将芯片放置于框架上，放置时，所述芯片的中心线与所述框架的侧边呈夹角α，30
°
≤α≤60
°
，然后放置跳线，进行焊接，得到框架组件；S2：将所述框架组件放置于预热台上预热，同时对环氧树脂进行预热；S3：将预热后的框架组件放置于塑封装置的下模上，启动塑封装置，调整合模压力后，使得塑封装置的上模下移，完成合模；S4：在合模过程中，将预热后的环氧树脂加入所述塑封装置的料筒中，调整转进压力后，完成进胶和固化，形成半成品；S5：切出半成品中多余的筋料，制得扁桥芯片的成品。2.根据权利要求1所述的扁桥芯片塑封方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述框架组件预热的温度为160℃
‑
180℃，预热时间为5
‑
10S...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘久华，
申请(专利权)人：扬州虹扬科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：