半导体封装和堆叠半导体封装制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装和堆叠半导体封装。该半导体封装包括半导体芯片，具有电路部；芯片选择电极，穿过该半导体芯片并输出第一信号；参考电压供应部，形成于该半导体芯片中并且供应和输出第二信号；以及信号比较部，形成于该半导体芯片中并电连接到各芯片选择电极和该参考电压供应部，其中该信号比较部比较第一信号和第二信号并依据该比较输出芯片选择信号到该电路部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装、具有该半导体封装的堆叠半导体封装、以及选择堆叠半导体封装中的一个半导体芯片的方法。
技术介绍
在半导体芯片技术中，半导体器件的数据储存和处理能力为一重要因素。此因素已经引发各种对于半导体技术的储存和处理大量数据能力的尝试。近来在半导体芯片技术的发展包含设计成提高数据储存能力和数据处理速度的堆叠半导体封装。在堆叠半导体封装中，至少两个半导体封装被堆叠。堆叠半导体封装需要运用一种封装选择技术，其中从多个半导体封装中选择将被驱动的半导体封装。业界已经运用若干不同方法来促进在堆叠半导体封装选择一个半导体封装，其包括包含在相应半导体封装中的半导体芯片形成为具有不同结构；重配线不同地形成于相同的半导体芯片中；或半导体芯片置成台阶形状且导线连接到芯片以建立不同配置。然而，当使用这些封装选择方法来制造堆叠半导体封装时，由于使用上述技术时制造工艺的数量显着增加，因此使用这些封装选择方法会在堆叠半导体封装的制造中产生诸多问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例包含具有适用于堆叠半导体封装的结构的半导体封装。此外，本专利技术的实施例包含堆叠半导体封装，其中利用电压降落效应，可以从相同的半导体封装中选择任一半导体封装。再者，本专利技术的实施例涉及一种在显示这种选择能力的堆叠半导体封装中选择一个半导体封装的方法。在一个方面，一种半导体封装，包括半导体芯片，具有电路部；第一芯片选择电极，在该半导体芯片的第一位置穿过该半导体芯片，并具有第一电阻；第二芯片选择电极，在该半导体芯片的第二位置穿过该半导体芯片，并具有大于第一电阻的第二电阻；以及信号比较部，形成于该半导体芯片中并电连接到第一和第二芯片选择电极，以比较从第一芯片选择电极应用的第一信号和从第二芯片选择电极应用的第二信号且随后输出芯片选择信号到该电路部该半导体封装还包括接地重配线，该接地重配线形成于该半导体芯片上且电连接到第二芯片选择电极。该半导体封装还包括数据电极，该数据电极穿过该半导体芯片且具有小于第二电、阻的第三电阻。该第一电阻和第三电阻大致相等。当第一信号和第二信号相等时，该芯片选择信号从信号比较部输出到电路部。在本专利技术的另一方面，一种堆叠半导体封装包括相互堆叠并具有相应电路部的多个半导体芯片；第一芯片选择电极，穿过相应半导体芯片上的第一位置且具有第一电阻；第二芯片选择电极，穿过相应半导体芯片上的第二位置且具有大于第一电阻的第二电阻；以及信号比较部，形成于相应半导体芯片中且电连接到相应半导体芯片的第一和第二芯片选择电极，从而依据从第一和第二芯片选择电极应用的第一信号和第二信号之间的差，输出芯片选择信号到电路部该堆叠半导体封装还包括基板，该基板上装设该半导体芯片。该基板具有信号供 应单元，用于产生具有不同水平的第二信号，以及具有和任一第二信号相同的水平的第一信号。该信号供应单元包括分压器，用于将具有预设水平的电压分成具有不同水平的多个电压；电源供应部，用于供应具有预设水平的电压到该分压器；开关部，用于输出由该分压器分出的多个电压；以及驱动信号产生部，用于驱动该开关部。该分压器包含电阻器，电阻器串联连接且具有与半导体芯片的数量对应的节点的数量。相应电阻器具有相同的电阻值。该分压器还包含与该电阻器串联连接的附加接地电阻器，该第二芯片选择电极具有电连接到第二芯片选择电极的接地重配线。相应开关部串联连接在相应节点和相应第一芯片选择电极之间。该电源供应部供应电源到分压器和第二芯片选择电极。相应第二芯片选择电极皆有相同的电阻值。在本专利技术的另一方面，一种半导体封装包括半导体芯片，具有电路部；芯片选择电极，穿过该半导体芯片；参考电压供应部，形成于该半导体芯片中用于输出参考电压；以及信号比较部，形成于该半导体芯片中并电连接到芯片选择电极和该参考电压供应部，以比较从芯片选择电极应用的第一信号和从参考电压供应部应用的第二信号并输出芯片选择信号到该电路部。该半导体封装还包括作为电阻器的接地重配线，该接地重配线形成于该半导体芯片且电连接到该芯片选择电极。该半导体封装还包括数据电极，该数据电极穿过半导体芯片且具有第一电阻。该芯片选择电极具有大于第一电阻的第二电阻。当第一和第二信号大致相等时，该芯片选择信号从该信号比较部输出到该电路部。在本专利技术的另一方面，一种堆叠半导体封装包括相互堆叠且具有相应电路部的多个半导体芯片；芯片选择电极，穿过相应半导体芯片；参考电压供应部，形成于相应半导体芯片中，用于输出参考电压；以及信号比较部，电连接到相应半导体芯片的芯片选择电极和参考电压供应部，以依据从芯片选择电极应用的第一信号和从参考电压供应部应用的第二信号的水平差，输出芯片选择信号到电路部。该堆叠半导体封装还包括装设多个半导体芯片的基板，该基板具有用于产生包含第一信号的多个第二信号的信号供应单元。该信号供应单元包括分压器，用于将具有预设水平的电压分成具有不同水平的多个电压；电源供应部，用于供应具有预设水平的电压到该分压器；开关部，用于输出由该分压器分出的多个电压；以及驱动信号产生部，用于产生驱动信号以驱动相应开关部。该分压器包含电阻器，该电阻器串联连接且具有与半导体芯片的数量对应的节点的数量。相应电阻器具有相同的电阻值。 该分压器还包含与该电阻器串联连接的附加接地电阻器，该第二芯片选择电极具有电连接到第二芯片选择电极的接地重配线。相应开关部串联连接在相应节点和相应第一芯片选择电极之间。在本专利技术的再一方面，一种选择堆叠半导体封装中的一个半导体芯片的方法，包括以下步骤将第一信号应用到相应信号比较部，其中信号比较部形成于相互堆叠的多个半导体芯片中；将包含第一信号的第二信号应用到半导体芯片的相应信号比较部；比较应用到相应信号比较部的第一信号和第二信号的水平之间的差；以及从信号比较部，应用到该信号比较部的第一和第二信号具有最小的水平差，输出具有芯片选择使能水平的信号。应用第一信号的步骤包括以下步骤产生具有不同水平的第一信号；以及选择任一具有不同水平的第一信号。产生具有不同水平的第一信号的步骤包括以下步骤将具有预设水平的DC电压分成多个电压，其中该多个电压的数量对应于该半导体芯片的数量。将第二信号应用到相应信号比较部的步骤包括以下步骤将该DC电压分成多个电压，其中该多个电压的数量对应于该半导体芯片的数量。应用第一信号的步骤包括以下步骤将从相应半导体芯片产生的第一信号应用到相应信号比较部。应用第二信号的步骤包括以下步骤将具有预设电压水平的DC电压分压，由此产生具有不同电压水平的初级第二信号；输出选择信号，用于选择具有不同电压水平的初级第二信号的任何一个；响应于该选择信号选择初级第二信号；以及将所选择的初级第二信号分成与该半导体芯片一样的数量，由此产生包含第一信号且具有不同水平的第二信号。附图说明图I为示出根据本专利技术一个实施例的半导体封装的剖面图。图2为示出堆叠半导体封装的剖面图，其中多个图I所示半导体封装相互堆叠。图3为示出用于产生在图2所示堆叠半导体封装中使用的具有不同水平的第一信号和第二信号的信号供应单元的方框图。图4为示出根据本专利技术另一实施例的半导体封装的剖面图。图5为示出堆叠半导体封装的剖面图，其中多个图4所示半导体封装相互堆叠。图6为示出用于产生在图5所示堆叠半导体封装中使用的具有不同水平的第一信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：半导体芯片，具有电路部；芯片选择电极，穿过该半导体芯片并输出第一信号；参考电压供应部，形成于该半导体芯片中并且供应和输出第二信号；以及信号比较部，形成于该半导体芯片中并且电连接到各芯片选择电极和该参考电压供应部，其中该信号比较部比较第一信号和第二信号并依据该比较输出芯片选择信号到该电路部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔福奎，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：