低成本超结功率场效应管的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于超结功率场效应管制造
，具体涉及一种低成本超结功率场效应管的制备方法。
技术介绍
前高压超结产品主要有两种工艺技术路径：1.以Infineon和ST为代表的多次外延和注入技术的技术。2.以Toshiba和华虹宏力为代表的沟槽刻蚀和回填技术。两种技术基本上都要长1-2um的热场氧，然后光刻有源区，进行后续的器件制备工艺；现有的超结技术制造工艺，都有厚场氧工艺，也都会用到有源区光刻版，制造工艺相对昂贵。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种低成本超结功率场效应管的制备方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供一种低成本超结功率场效应管的制备方法，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N-外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p-pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱；步骤六：进行层间介质（ILD）的淀积；步骤七：电极光刻，孔注；步骤八：源极金属的淀积和光刻，形成器件的最终结构。上述方案中，所述步骤五中Nsource采用As或P注入并推阱。上述方案中，所述步骤六中层间介质的厚度为1-3um。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术省掉了有源区这块光刻版，不长厚场氧，同时器件击穿特性不受影响，因此降低了超结功率场效应管的制造成本。附图说明图1为本专利技术步骤一的示意图；图2为本专利技术步骤二的示意图；图3为本专利技术步...
【技术保护点】
一种低成本超结功率场效应管的制备方法，其特征在于，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N‑外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p‑pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱；步骤六：进行层间介质（ILD）的淀积；步骤七：电极光刻，孔注；步骤八：源极金属的淀积和光刻，形成器件的最终结构。
【技术特征摘要】
1.一种低成本超结功率场效应管的制备方法，其特征在于，该制备方法通过以下步骤实现：步骤一：在N+衬底上生长N-外延层;步骤二：通过body光刻版注入体区，然后进行推阱;步骤三：深沟槽的刻蚀和p型EPI的回填，并进行CMP工艺将沟槽外的p型EPI去掉，形成p-pillar;步骤四：进行栅氧、多晶硅栅极的生长和回刻;步骤五：Nsource注入并推阱...
【专利技术属性】
技术研发人员：周宏伟，张园园，任文珍，徐永年，徐西昌，
申请(专利权)人：西安龙腾新能源科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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