一种功率开关管保护电路制造技术

技术编号:7880556 阅读:262 留言:0更新日期:2012-10-15 07:21
本实用新型专利技术提供了一种功率开关管保护电路,它包括芯片电源检测单元、功率开关管、配合功能电路和功率开关控制单元,所述功率开关控制单元与芯片电源检测单元和功率开关管连接。藉由本实用新型专利技术,可在电源电压达到芯片能正常工作电压时,使功率开关管控制单元关闭,让其对功率开关管不产生作用,不影响正常工作;而在电源电压未达到芯片能正常工作电压时,使功率开关管控制单元打开,让功率开关管更可靠的关闭。本实用新型专利技术可靠性更佳,安全裕度更高。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术特别涉及集成电路领域的一种功率开关管保护电路
技术介绍
目前电源管理类特别是功率因数校正类集成电路的应用十分广泛,在该类应用中许多场合都需要功率开关管。在一些情况下,如果出现功率开关管长时间连续导通就会出现功率开关管发热严重,甚至烧坏功率开关管及整个系统,在部分用到有源功率因数校正场合中,严重的会出现功率开关管及保险丝等器件爆炸等极端情况,危害很大。一般该类集成电路会有保护电路来避免该类情况发生,但它们往往是只是集成电路芯片的电源端 达到正常电压后才起作用,而在上电期间,特别是芯片电源电压较低的情况下,在功率开关管的控制端可能会出现不定电压态,不是非常安全。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种可靠性更佳,安全裕度更高的功率开关管保护电路。为实现上述目的,本技术提出如下技术方案一种功率开关管保护电路,包括芯片电源检测单元、功率开关管、其他功能电路以及一功率开关控制单元,所述功率开关控制单元与芯片电源检测单元和功率开关管连接。优选的,所述功率开关管包括第三NMOS管和第三电阻;第三匪OS管栅极经第三电阻与Gl端连接。优选的,所述功率开关控制单元包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第一 NPN晶体管、第二 NPN晶体管、第一 PNP晶体管、第一电阻和第二电阻;第一 NMOS管的栅极和第二 NMOS管的栅极连接后与芯片电源检测单元连接,第一 NMOS管的源极和第二 NMOS管的源极均接地,第一 NMOS管的漏极和第一 NPN晶体管的基极连接,第一 NPN晶体管的发射机接地,第一NPN晶体管的集电极和第一 PNP晶体管的基极连接,第一 PNP晶体管的集电极和第二 NMOS管的漏极连接后与第二 NPN晶体管的基极连接,第二 NPN晶体管的发射极接地,第一 NMOS管的漏极经第一电阻和第一 NPN晶体管的集电极经第二电阻连接后与第一 PNP晶体管的发射极、第二 NPN晶体管的集电极、其他功能电路和Gl端连接。本技术的工作原理为当电源电压达到芯片能正常工作电压时,使功率开关管控制单元关闭,让其对功率开关管不产生作用,不影响正常工作;当电源电压未达到芯片能正常工作电压时,使功率开关管控制单元打开,让功率开关管更可靠的关闭。本技术的有益效果在于可靠性更佳,安全裕度更高。附图说明图I是实施列I中功率开关管保护电路的结构框图;图2是实施列I中功率开关管保护电路的电路图。具体实施方式实施例I如图1-2所示Ul为本技术所属的集成电路芯片,其它电路为芯片的其它功能电路,UVLO单元为芯片电源检测单元,第三NMOS管为功率开关管。第三NMOS管的栅极经第三电阻与Gl端连接,第一 NMOS管的栅极和第二 NMOS管的栅极连接后与芯片电源检测单元连接,第一 NMOS管的源极接地,第二 NMOS管的源极接地,第一 NMOS管的漏极和第一 NPN晶体管的基极连接,第一 NPN晶体管的发射机接地,第一 NPN晶体管的集电极和第一PNP晶体管的基极连接,第一 PNP晶体管的集电极和第二 NMOS管的漏极连接后与第二 NPN晶体管的基极连接,第二 NPN晶体管的发射极接地,第一 NMOS管的漏极经第一电阻和第一NPN晶体管的集电极经第二电阻连接后与第一PNP晶体管的发射极、第二NPN晶体管的集电极、其他功能电路和Gl端连接。当电源电压达到芯片能正常工作电压时,使功率开关管控制单元关闭,让其对功率开关管不产生作用,不影响正常工作;当电源电压未达到芯片能正常工作电压时,使功率开关管控制单元打开,让功率开关管更可靠的关闭。本技术的
技术实现思路
及技术特征已揭示如上,然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本技术的教示及揭示而作种种不背离本技术精神的替换及修饰,因此,本技术保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本技术的替换及修饰,并为本专利申请权利要求所涵盖。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种功率开关管保护电路,包括芯片电源检测单元、功率开关管和配合功能电路,其特征在于它还包括功率开关控制单元,所述功率开关控制单元与芯片电源检测单元和功率开关管连接。

【技术特征摘要】
1.一种功率开关管保护电路,包括芯片电源检测单元、功率开关管和配合功能电路,其特征在于它还包括功率开关控制单元,所述功率开关控制单元与芯片电源检测单元和功率开关管连接。2.根据权利要求I所述功率开关管保护电路,其特征在于所述功率开关管包括第三NMOS管和第三电阻;第三NMOS管的栅极经第三电阻与Gl端连接。3.根据权利要求I或2所述功率开关管保护电路,其特征在于所述功率开关控制单元包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第一 NPN晶体管、第二 NPN晶体管、第一 PNP晶体管、第一电阻和第二电阻;第一 NMOS管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员:江石根徐君怡
申请(专利权)人:苏州华芯微电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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