一种快恢复二极管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种快恢复二极管及其制作方法，二极管包括衬底和P+区，所述P+区在衬底上形成，共同构成PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；本发明专利技术的二极管恢复特性既快且软；由于局域寿命控制层的存在，器件不需要过多的全局复合中心，可以降低器件漏电，提高器件雪崩耐量；配合电子辐照与铂掺杂，可以实现正向压降温度系数微正的器件，利于并联；可以对器件阳极及阴极的结构及掺杂进行调整，利于提高器件的正向浪涌及动态雪崩能力。

【技术实现步骤摘要】
201410693539

【技术保护点】
一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；其特征在于，在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括依次分布的衬底N‑层以及衬底N+层；在所述衬底N‑层上生长有氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，其中
衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；其特征在于，在阳极P+区的表面注入氢或氦，形
成局域寿命控制层；
所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括依次分布的衬底N-层以及衬
底N+层；在所述衬底N-层上生长有氧化层。
2.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述注入氢或氦的注入深度为
5-7um，有±0.5um注入能量偏差。
3.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，用光刻和刻蚀所述氧化层形成有源
区窗口，在所述有源区窗口上推结形成P+区；所述P+区形成如下：
在有源区窗口生长氧化层作为掩蔽层，在掩蔽层注入硼离子，形成硼离子注入层，并在
1200℃氮气气氛推结下形成5-10um的P+区。
4.如权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，硼离子的注入剂量为1×1013～1×
1015cm-2。
5.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，对所述局域寿命控制层进行局部寿
命控制或全局寿命控制，来实现对二极管正向压降的温度特性的调节，调节包括：①采用局
域寿命控制配合电子辐照的控制方式；②采用局域寿命控制配合掺铂的控制方式；③采用局
域寿命控制配合电子辐照和扩铂两种全局寿命控制方式。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的快恢复...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴迪，刘钺杨，何延强，金锐，温家良，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网智能电网研究院，国网上海市电力公司，
类型：发明
国别省市：北京;11