薄膜晶体管的制备方法技术

一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度；以光刻胶图案为掩模，对半导体层及第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理；除去第二光刻胶层；对第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去第一光刻胶层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成栅极。上述薄膜晶体管的制备方法，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED的驱动性能。

【技术实现步骤摘要】
201610129011

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，所述第一光刻胶层对应所述半导体层中待形成驱动薄膜晶体管的区域，所述第二光刻胶层对应所述半导体层中待形成开关薄膜晶体管的区域，所述第一光刻胶层的厚度大于所述第二光刻胶层的厚度；以所述光刻胶图案为掩模，对所述半导体层及所述第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理，以除去所述半导体层及所述第一栅极绝缘层上未被光刻胶图案覆盖的区域；除去所述第二光刻胶层；对所述第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分所述第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去所述第一光刻胶层；在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成栅极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二
光刻胶层，所述第一光刻胶层对应所述半导体层中待形成驱动薄膜晶体管的区域，所述第
二光刻胶层对应所述半导体层中待形成开关薄膜晶体管的区域，所述第一光刻胶层的厚度
大于所述第二光刻胶层的厚度；
以所述光刻胶图案为掩模，对所述半导体层及所述第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处
理，以除去所述半导体层及所述第一栅极绝缘层上未被光刻胶图案覆盖的区域；
除去所述第二光刻胶层；
对所述第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分所述第一栅极绝缘层未
被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；
除去所述第一光刻胶层；
在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上形成栅极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述基板上依次形成
半导体层及第一栅极绝缘层，具体包括如下步骤：
在基板上依次形成缓冲层及非晶硅层；
将所述非晶硅层转化为多晶硅层，得到所述半导体层；
在所述半导体层上形成第一栅极绝缘层。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，将所述非晶硅层转化为
多晶硅层后，还包括：对所述多晶硅层进行沟道掺杂。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用等离子体化学气相
沉积法在所述基板的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家朝，任思雨，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44