双重自对准金属氧化物TFT制造技术

本发明专利技术公开了双重自对准金属氧化物TFT。具体，本发明专利技术公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。

【技术实现步骤摘要】
本申请为国际申请PCT/US2010/027162于2011年10月18日进入中国国家阶段、申请号为201080017247.4、专利技术名称为“双重自对准金属氧化物TFT”的分案申请。
本专利技术总地涉及金属氧化物TFT的双重自对准制造以免去临界对准工具。
技术介绍
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)作为用于大面积应用例如有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)的高性能TFT背板，引起了人们的兴趣。参见例如2008年7月23日提交的标题为“ActiveMatrixLightEmittingDisplay(有源矩阵发光显示器)”的共同待决美国专利申请，该申请在此合并作为参考。这些大面积应用中有许多使用了玻璃或塑料衬底。为了在大面积上以低成本产生TFT，利用低成本平版印刷工具例如接近式/投影式对准器而不是更昂贵的步进工具是有利的。此外，由于衬底在加工中变形(玻璃由于高温处理而变形、或塑料衬底由于化学和热处理而变形)，所以必须解决对准的问题。典型地，由于变形引起的未...

【技术保护点】
使用不需要临界掩蔽步骤的双重自对准方法在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有正面和背面的透明衬底；使用非临界图形化技术，在不含中间层的衬底的正面上直接布置不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层；在透明栅极电介质层的表面上沉积透明无定形金属氧化物半导体材料层，所述无定形金属氧化物层包含以下之一：ZnO、InO、AlZnO、ZnInO、InAlZnO、InGaZnO、ZnSnO、GaSnO、InGaCuO、InCuO和AlCuO；在金属氧化物半导体材料层上沉积钝化材料层；从衬底的背面将部分钝化材料层曝光，并...

【技术特征摘要】
2009.04.21 US 12/427,2001.使用不需要临界掩蔽步骤的双重自对准方法在透明衬底上制
造金属氧化物TFT的方法，所述方法包括以下步骤：
提供具有正面和背面的透明衬底；
使用非临界图形化技术，在不含中间层的衬底的正面上直接布置
不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；
在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质
层；
在透明栅极电介质层的表面上沉积透明无定形金属氧化物半导体
材料层，所述无定形金属氧化物层包含以下之一：ZnO、InO、AlZnO、
ZnInO、InAlZnO、InGaZnO、ZnSnO、GaSnO、InGaCuO、InCuO和
AlCuO；
在金属氧化物半导体材料层上沉积钝化材料层；
从衬底的背面将部分钝化材料层曝光，并除去钝化材料层的被曝
光部分，留下覆盖栅极区域并界定TFT的沟道区域的钝化区域，所述
沟道区域的沟道长度为10微米或更低；
在金属氧化物半导体材料层上沉积导电材料和钝化材料；和
在沟道区域的相对侧上蚀刻覆盖钝化材料的导电材料以形成源极
区域和漏极区域。
2.使用不需要临界掩蔽步骤的双重自对准方法在透明衬底上制
造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：
提供具有正面和背面的透明衬底；
使用非临界图形化技术，在不含中间层的衬底的正面上直接布置
不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；
在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质
层；
在透明栅极电介质层的表面上沉积透明无定形金属氧化物半导体
材料层；
在金属氧化物半导体材料层上沉积透明钝化材料层；
在钝化材料层上沉积覆盖栅极金属和周围区域的第一光致抗蚀剂
层；
从衬底的背面将部分第一光致抗蚀剂层曝光并显影第一光致抗蚀
剂层以除去第一光致抗蚀剂层的被曝光部分，形成第二蚀刻掩模；
利用对从衬底背面的第二蚀刻掩模，除去部分钝化材料层，留下
覆盖栅极区域并界定TFT的沟道区域的钝化区域，并除去第二蚀刻掩
模，所述沟道区域的沟道长度为10微米或更低；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢泉隆，俞钢，
申请(专利权)人：希百特股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US