【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度，所述第一N型掺杂半导体层的宽度为5um至50um、掺杂浓度为5e12/cm3?5e14/cm3。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：贾会霞，
申请(专利权)人：深圳市立德电控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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