一种新型二极管器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型二极管器件；本实用新型专利技术的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端；当二极管器件接反向偏压时，沟道两边的掺杂区形成的夹断势垒阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数实现了相对低的开启电压；本实用新型专利技术适用于所有半导体材料的垂直结构二极管器件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型二极管器件，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王珏，蔡超峰，何敏，
申请(专利权)人：杭州恩能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：