【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种快恢复二极管FRD芯片，所述FRD芯片包括芯片终端保护区，其特征在于，所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结深。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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