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本实用新型提供了一种快恢复二极管FRD芯片，该芯片包括芯片有源区和芯片终端保护区；所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于位于所述芯片有源区的N+型阴极区的结深。...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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