【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件生产领域的一种高压二极管管芯表面钝化层膜厚控制及测量方法。
技术介绍
在半导体元器件生产中,对于高压二极管在芯片-引线组装烧结并进行管芯表面清洗处理后,要对管芯(芯片)表面进行上胶涂敷,将管芯保护起来(保护层亦称为钝化层)。芯片表面保护是提高高压器件电性能的重要工程,表面涂胶材料为高分子聚酰亚胺,上胶厚度对器件电性能和可靠性有直接的影响,胶层太薄,器件钝化层表面绝缘强度较低,器件在工作过程中易发生表面击穿,胶层太厚,器件反向击穿特性劣化,反向漏电流增加,使成品率降低。因此有必要对芯片表面钝化层厚度进行测试,根据测试结果去调整聚酰亚胺胶的粘度,从而保证管芯表面涂敷上胶厚度符合工艺要求,且一致性良好。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于二极管生产中的二极管管芯表面钝化层膜厚控制及测量方法。其专利技术目的是寻求一种准确测量高压二极管芯片表面钝化层(上胶涂敷层)膜厚的测试方法,通过控制钝化层膜厚工艺规范,提高器件的反向击穿特性,从而有利于提高产品测试成品率和器件的可靠性。本专利技术目的是通过以下技术方案实现的:1.一种高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法,其特征在于:高压二极管芯片上胶涂膜工艺步骤如下:1)按二极管芯片的型号在上胶机对应部位安装相应规格的导航模、涂布轮、回收轮和料钵;2)开启上胶机上四个加热器,温度设定依次为:第一级75℃,第二级60℃,第三级50℃,第四级60℃;3)上胶机传送带速度为6.0~6.5米/秒,在料钵中加入适量的聚酰胺胶涂料;4)将装有待涂敷上胶的二极管芯片-引线烧结部件由氮气保管柜内移到上胶机始端工作台面 ...
【技术保护点】
一种高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法,其特征在于:高压二极管芯片上胶涂膜工艺步骤如下:1)按二极管芯片的型号在上胶机对应部位安装相应规格的导航模、涂布轮、回收轮和料钵; 2)开启上胶机上四个加热器,温度设定依次为:第一级75℃, 第二级60℃, 第三级50℃, 第四级60℃;3)上胶机传送带速度为6.0~6.5米/秒, 在料钵中加入适量的聚酰胺胶涂料;4)将装有待涂敷上胶的二极管芯片‑引线烧结部件由氮气保管柜内移到上胶机始端工作台面,部件装在塑料模具内,每批十模;5)上胶工序室内温度设定为25±5℃,湿度为 ≤39%;6)将装有待涂敷上胶的部件模具置于梳料架上,用锯条模将待加工件逐条、逐模顺序梳下放于上胶机传送带上, 调节导航模、涂布轮、回收轮的宽度、高度、速度,待涂敷上胶的二极管芯片居于涂布轮\回收轮中央;7)将铝盒置于涂布机末端工作台上, 自传送带上移下已涂布的二极管芯片‑引线烧结部件,装进铝盒,每铝盒装满18条锯条模后,盖上盖子,放入N2保管车内;8)整批装盒结束后,用N2保管车将制连同铝盒移入专用阶梯式程控干燥箱内,干燥工艺规范:80℃×1 h→110℃×(1±1/6)h→18 ...
【技术特征摘要】
1.一种高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法,其特征在于:高压二极管芯片上胶涂膜工艺步骤如下:1)按二极管芯片的型号在上胶机对应部位安装相应规格的导航模、涂布轮、回收轮和料钵;2)开启上胶机上四个加热器,温度设定依次为:第一级75℃,第二级60℃,第三级50℃,第四级60℃;3)上胶机传送带速度为6.0~6.5米/秒,在料钵中加入适量的聚酰胺胶涂料;4)将装有待涂敷上胶的二极管芯片-引线烧结部件由氮气保管柜内移到上胶机始端工作台面,部件装在塑料模具内,每批十模;5)上胶工序室内温度设定为25±5℃,湿度为≤39%;6)将装有待涂敷上胶的部件模具置于梳料架上,用锯条模将待加工件逐条、逐模顺序梳下放于上胶机传送带上,调节导航模、涂布轮、回收轮的宽度、高度、速度,待涂敷上胶的二极管芯片居于涂布轮\\回收轮中央;7)将铝盒置于涂布机末端工作台上,自传送带上移...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭忠泉,
申请(专利权)人:南通联恒新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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