一种新型二极管器件制造技术

本发明专利技术公开了一种新型二极管器件结构；本发明专利技术的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；当二极管器件接反向偏压时，沟道两边的掺杂区形成的夹断势垒和肖特基势垒共同阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒和肖特基势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数和肖特基势垒高度实现了相对低的开启电压；本发明专利技术适用于所有半导体材料的垂直结构二极管器件。

【技术实现步骤摘要】
一种新型二极管器件
本专利技术涉及电力电子
，涉及几乎所有应用场合下的电气设备，包括交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等领域的一种新型二极管器件。
技术介绍
作为重要的功率半导体器件，二极管器件主要包括基于PN结势垒和肖特基势垒两种。PN结势垒具有相对较高的势垒高度，反向泄漏电流低，但正向导通压降偏高，同时存在反向恢复电流的问题；而肖特基势垒具有良好的正向特性，不存在反向恢复电流的问题，但是在承受高的反向电场时，会受到势垒变低和隧穿效应的影响，导致反向泄露电流大大增加，对器件长期工作的可靠性产生了影响。如何同时优化并且平衡二极管器件的正反向特性是半导体器件设计的重要课题。
技术实现思路
本专利技术提出了新的二极管结构，适用于所有半导体材料的二极管器件。相对于仅依靠肖特基势垒或者直接PN结势垒的二极管，本专利技术提出的二极管结构具有以下特点:1.相对降低的泄漏电流。通过调节沟道掺杂和宽度，可以将反向泄漏电流明显降低。2.可以调节的正向开启电压。随着沟道宽度和掺杂的改变，开启电压可以得到调节并大大降低。3.良好的反向恢复特性。正向导通条件下为单极性工作，电流主要通过沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型二极管器件结构，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，并通过肖特基接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。

【技术特征摘要】
1.一种新型二极管器件结构，其特征在于:包括: 沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，并通过肖特基接触形成二极管一端； 漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。2.如权利要求1所述的二极管器件，其特征在于:所述二极管器件可以采用任意半导体材料，包括硅、碳化硅、氮化镓、金刚石等等。3.如权利要求1所述的二极管器件，其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珏，何敏，
申请(专利权)人：杭州恩能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：