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本发明公开了一种新型二极管器件结构；本发明的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；当二极管器件接反向偏压时，沟道两边的掺杂区形成的夹断势垒和肖特基势垒共同阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒和肖特基势垒被同时降低，允许电流通过，...
该专利属于杭州恩能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州恩能科技有限公司授权不得商用。

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