【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置；本专利技术的半导体装置，为一种改进型的TMBS二极管；本专利技术的半导体装置，在阳极下面具有P注入区，该注入区引入的PN结与肖特基结平行，在大电流条件下该PN结参与导通，对半导体的漂移区进行电导调制降低导通压降，从而使得该半导体装置具有抗浪涌电流能力。【专利说明】 一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置
本专利技术涉及一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置，本专利技术的半导体装置主要应用于功率电路。
技术介绍
碳化硅半导体器件是下一代功率半导体器件的优秀代表。碳化硅半导体材料具有相对第一代硅功率半导体材料更优秀的电流导通和电压阻断能力，可以实现非常低的导通电阻和快速切换时间。因此适合在半导体功率器件方向的应用。传统的碳化娃半导体器件TMBS 二极管(Trench Metal-Oxide-SemiconductorBarrier Schottky Diode)的阳极为纯肖特基结，不存在PN结。由于肖特基结基本没有少子注入现象，在恶劣的工况如浪涌电流条件下，传统型的TMBS 二极管的导通压降急剧增力口，器件的导通损耗随之迅速增加，从而导致器件损坏。因此需要在原有的器件结构中设计P注入区形成PN结。本专利技术中提出的一种具有提高抗浪涌电流能力的TMBS 二极管，可以有效解决传统TMBS 二极管的问题。通过在阳极下方引入P注入区形成PN结，该PN结与肖特基结平行，在浪涌电流条件下参与导通，通过少子注入进行电导调制，从而降低导通压降，使器件具备抗浪涌电流能力。该结构不仅可以使器件具备抗浪涌电...
【技术保护点】
一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置，其特征：阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极形成肖特基接触，阴极形成欧姆接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何敏，任娜，王珏，
申请(专利权)人：杭州恩能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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