一种新型二极管器件制造技术

本发明专利技术公开了一种新型二极管器件结构；本发明专利技术的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；当二极管器件接反向偏压时，沟道两边的掺杂区形成的夹断势垒阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数实现了相对低的开启电压；本发明专利技术适用于所有半导体材料的垂直结构二极管器件。

【技术实现步骤摘要】
一种新型二极管器件
本专利技术涉及电力电子
，涉及几乎所有应用场合下的电气设备，包括交流 电机、变频器、开关电源、牵引传动等领域的一种新型二极管器件。
技术介绍
作为重要的功率半导体器件，二极管器件主要包括基于PN结势垒和肖特基势垒 两种。PN结势垒具有相对较高的势垒高度，反向泄漏电流低，但正向导通压降偏高，同时存 在反向恢复电流的问题；而肖特基势垒具有良好的正向特性，不存在反向恢复电流的问题， 但是在承受高的反向电场时，会受到势垒变低和隧穿效应的影响，导致反向泄露电流大大 增加，对器件长期工作的可靠性产生了影响。如何同时优化并且平衡二极管器件的正反向 特性是半导体器件设计的重要课题。
技术实现思路
本专利技术提出了新的二极管结构，适用于所有半导体材料的二极管器件。相对于目 前基于肖特基势垒或者直接PN结势垒的二极管，本专利技术提出的二极管结构具有以下特点:1.明显降低的泄漏电流。通过调节沟道掺杂和宽度，可以将反向泄漏电流明显降 低。2.可以调节的正向开启电压。随着沟道宽度和掺杂的改变，开启电压可以得到调 节并大大降低。3.良好的反向恢复特性。正向导通条件下为单极性工作，电流主要通过沟道流过， 无明显少子注入现象，因此具有和肖特基二极管一样的无反向恢复电流的特点。4.无肖特基结的简单结构有利于器件在长期工作下的可靠性。【附图说明】图1是专利技术基于掺杂直接注入的结构截面图；图2是专利技术基于沟槽型P掺杂的结构截面图；图3是专利技术基于仅垂直掺杂的沟槽结构截面图；图4是专利技术基于倾斜型沟道的结构截面图；图5是专利技术基于水平沟道的结构截面图；图6是包含绝缘结构的水平沟道结构截面图；图7是N+/P+掺杂区域毗连的水平沟道截面图；图8是包含绝缘结构的N+/P+掺杂毗连的水平沟道截面图；图9是与图1结构相对应的P型二极管例子的结构示意图。其中，1、沟道，第一半导体类型；2、重掺杂区，第二半导体类型；3、漂移区，第一半导体类型；4、电场截止层，第一半导体类型；5、衬底，第一半导体类型；6、欧姆接触层，第一半导体类型；7、阳极金属；8、阴极金属；9、横向沟道表明掺杂区，第二半导体类型；10、氧化物。具体实施方案实施例1图1为本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，结合图1予以详细说明。如图1所示，一种新型结构的二极管器件，包括:衬底5，其上方为漂移区3 ;可以 选择是否在衬底层上方增加电场截止层4 ;导电沟道I位于漂移区3的上方，并处在两块相 邻的重掺杂区2之间；阳极金属7位于器件最上方表面，为器件引出电极；在沟道I和阳极 金属7之间为重掺杂的欧姆接触层6 ;阴极金属8位于器件结构的最下方，与衬底5相连， 引出电极。[0031 ] 在本例中，第一半导体类型为N型半导体导电材料，第二半导体类型为P型半导体 材料，因此构成N型二极管；其一种可能的制造工艺包括如下步骤:第一步，根据是否需要电场截止层4，决定在N型衬底5上方是否先生长产生形成 截止层4 ;(可选)第二步，继续向上外延生长分别获得漂移区3，和对应对于沟道浓度和长度的N型 外延；第三步，直接在器件上表面利用离子注入或扩散方式在指定位置掺入P型掺杂形 成P型重掺杂区2，同时获得夹在P型掺杂区之间的沟道I ;第四步，在沟道I表面采用离子注入或扩散方式或外延方式或其他方式掺入高浓 度的N型掺杂，得到欧姆接触层6 ；第五步，分别在器件上下表面淀积金属，形成欧姆接触，得到阳极金属7和阴极金 属8，并引出电极，如图1所示。实施例2图2为本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，结合图2予以详细说明。如图2所示，一种新型结构的二极管器件，包括:衬底5，其上方为漂移区3 ;可以 选择是否在衬底层上方增加电场截止层4 ;导电沟道I位于漂移区3的上方，并处在两块相 邻的重掺杂区2之间；阳极金属7位于器件最上方表面和重掺杂区2上方的沟槽内，为器件 引出电极；在沟道I和阳极金属7之间为重掺杂的欧姆接触层6 ;阴极金属8位于器件结构 的最下方，与衬底5相连,引出电极。在本例中，第一半导体类型为N型半导体导电材料，第二半导体类型为P型半导体 材料，因此构成N型二极管；其一种可能的制造工艺包括如下步骤:第一步，根据是否需要电场截止层4，决定在N型衬底5上方是否先生长产生形成截止层4 ;(可选)第二步，继续向上外延生长分别获得漂移区3，和对应对于沟道浓度和长度的N型 外延；第三步，在指定位置进行刻蚀，获得用于掺杂注入的沟槽；第四步，在获得的沟槽内进行侧向和垂直的P型掺杂注入，形成P型重掺杂区2，同 时获得夹在P型掺杂区之间的沟道I ;第五步，在沟道I表面采用离子注入或扩散方式或外延方式或其他方式掺入高浓 度的N型掺杂，得到欧姆接触层6 ；第六步，在器件上表面和沟槽内淀积金属，形成欧姆接触，得到阳极金属7 ;在器 件下表面做欧姆接触产生阴极金属8，并引出电极，如图2所示。图3是本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，其结构在图2的基础上，在沟 槽中不进行侧向注入，仅进行垂直注入来形成P掺杂区2和沟道I。图4是本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，其结构在图2的基础上，在刻 蚀步骤中采用倾斜型刻蚀的方式，从而得到倾斜的沟道I。实施例3图5为本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，结合图5予以详细说明。如图5所示，一种新型结构的二极管器件，包括:衬底5，其上方为漂移区3 ;可以 选择是否在衬底层上方增加电场截止层4 ;导电沟道I与漂移区3相连，并处在上下相邻的 重掺杂区2和表面重掺杂区9之间；阳极金属7位于器件最上方表面，分别与表面掺杂区9、 沟道1、重掺杂区2连接，并为器件引出电极；在沟道I终端和阳极金属7之间为重掺杂的 欧姆接触层6 ;阴极金属8位于器件结构的最下方，与衬底5相连，引出电极。在本例中，第一半导体类型为N型半导体导电材料，第二半导体类型为P型半导体 材料，因此构成N型二极管；其一种可能的制造工艺包括如下步骤:第一步，根据是否需要电场截止层4，决定在N型衬底5上方是否先生长产生形成 截止层4 ;(可选)第二步，继续向上外延生长分别获得漂移区3，在其表面做P型掺杂，得到重掺杂 区2 ；第三步，按照沟道的浓度和宽度设计，继续向上生长得到N型外延；第四步，在器件上表面利用离子注入或扩散方式或外延方式或其他方式在指定位 置掺入P型掺杂形成表面重掺杂区9，从而获得夹在掺杂区2和掺杂区9之间的沟道I ;第五步，在沟道I终端对应的器件表面采用离子注入或扩散方式掺入高浓度的N 型掺杂，得到欧姆接触层6，并在其中间先下刻蚀，露出重掺杂区2 ；第六步，分别在器件上下表面淀积金属，形成欧姆接触，得到阳极金属7和阴极金 属8，并引出电极，如图5所示。图6是本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，其结构在图5的基础上，在器 件表面的表面重掺杂区9和欧姆接触层6之间额外增加氧化物10作为隔离。图7是本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，其结构在图5的基础上，在形 成欧姆接触层6时令其与重掺杂区2相连。图8是本专利技术的一种新型二极管器件的结构截面图，其结构在图5的基础上，增加氧化物10隔离，并同时令欧姆接触层6与重掺杂区2相连。实施例4上述图1至图8所展示的为若干种N型二极管的结构截面图，其中每一种都可以 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型二极管器件结构，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。

【技术特征摘要】
1.一种新型二极管器件结构，其特征在于:包括:沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。2.如权利要求1所述的二极管器件，其特征在于:所述二极管器件可以采用任意半导 体材料，包括硅、碳化硅、氮化镓、金刚石等等...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珏，蔡超峰，何敏，
申请(专利权)人：杭州恩能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：