具有肖特基接触终端的快恢复二极管制造技术

具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明专利技术适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
具有肖特基接触终端的快恢复二极管，其元胞结构包括N+阴极区（60）、位于N+阴极区（60）背面的阴极金属（70）、位于N+阴极区（60）上方的N型漂移区（40）、位于N+阴极区（60）和N型漂移区（40）之间的N型场缓冲层（50）；所述N型漂移区（40）表面具有元胞P型区（20），元胞P型区（20）表面具有阳极金属（10）；器件终端区的N型漂移区（40）表面距离元胞P型区（20）由近及远地分布有等位环（31）、第一场限环（32）和第二场限环（33）；所述等位环（31）表面具有与之接触的肖特基金属（80），肖特基金属（80）与等位环（31）表面接触方式为肖特基接触；所述等位环（31）与元胞P型区（20）等电位连接，形成器件终端过渡区；所述第一场限环（32）和第二场限环（33）用于改善器件反向阻断时等位环（31）的电场曲率效应，以提高器件终端的耐压能力；所述N型场缓冲层（50）用以截止阻断状态时的电场。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，杨文韬，宋洵奕，宋文龙，张金平，任敏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：