【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括衬底、衬底上的金属硅化物，其特征在于，衬底与金属硅化物之间的界面处还包括掺杂离子分凝区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尚海平，徐秋霞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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