【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及肖特基二极管分析技术，尤其涉及。
技术介绍
肖特基二极管是金属半导体结二极管。其正向起始电压较低，由多数载流子导电，少数载流子的存贮效应甚微，其频率响仅为RC时间常数限制，其工作频率可达100GHz以上，是高频和快速开关的理想器件，同时肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。随着现代微细加工技术的飞速发展，GaAs器件不断引入新的技术工艺、新的结构，使其尺寸缩小，其可靠性研究及分析不断面临新的问题。对于肖特基势垒结，总存在一些寄生参数影响结特性，使其电流电压曲线偏离理想情况，而肖特基势垒结的结参数对于电路模拟、器件参数提取、器件的可靠性研究和质量考核等应用都有着很重要的意义。常规的测试肖特基二极管的电压参数、开关时间参数、耐受功率参数等反映二极管工作特性参数的测试方法虽可以基本反映肖特基二极管的质量特性，但不能对肖特基二极管结特性进行深入分析。为了分清不同因素对二极管结特性的影响，以便能用最符合实际二极管结特性的表达式来分析肖特基二极管的结特性和结参数，国内外的研究者针对不同器件提出了各种方法，有的方法只考虑了寄生串联电阻的影响，有的方法...
【技术保护点】
一种获取肖特基二极管结参数的方法，其特征在于，它包括如下步骤：（１）用等效电路来模拟肖特基势垒结；（２）对肖特基势垒结的正向Ｉ－Ｖ曲线，用双指数函数解析式进行模拟，该双指数函数解析式中包含有反映肖特基势垒结特性和质量的结参数 ；（３）通过对所述双指数函数解析式的转换和对相关实验数据的换算处理以获取所述结参数的值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄云，
申请(专利权)人：信息产业部电子第五研究所，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]
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