SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法，所述SiC结势垒肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底上；肖特基金属接触，形成于所述外延层上；第二导电类型的重掺杂区，形成于所述肖特基金属接触下；第二导电类型的轻掺杂区，形成于所述重掺杂区下；第二导电类型的轻掺杂阱，形成于所述轻掺杂区下，且所述轻掺杂阱的宽度小于所述轻掺杂区的宽度；以及欧姆接触，形成于所述衬底背面。本发明专利技术提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够明显降低PN结拐角处的电场集中效应，进一步提高器件的反向击穿电压和Baliga品质因数（BFOM）值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种结势垒肖特基二极管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底上；肖特基金属接触，形成于所述外延层上；第二导电类型的重掺杂区，形成于所述肖特基金属接触下；第二导电类型的轻掺杂区，形成于所述重掺杂区下；第二导电类型的轻掺杂阱，形成于所述轻掺杂区下，且所述轻掺杂阱的宽度小于所述轻掺杂区的宽度；以及欧姆接触，形成于所述衬底背面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：岳瑞峰，信婉清，张莉，王燕，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：