【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于SiCx织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器，其特征在于，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括SiCx织构和多个横纵向均匀分布于SiCx织构中的硅量子点，构成了控制栅氧化层?SiCx织构?Si量子点?SiCx织构?隧穿氧化层双阶梯势垒电荷存储结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾祥斌，文西兴，文国知，郑文俊，廖武刚，冯枫，曹陈晨，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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