一种无结型纵向隧穿场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提出一种无结型纵向隧穿场效应晶体管，包括：源区、漏区、沟道区、控制栅和辅助栅，其中，源区、漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从源区至沟道至漏区掺杂浓度相同，控制栅和辅助栅分别位于沟道两侧并且二者至少有一部分相对，其中控制栅用于控制器件的导通与关闭，辅助栅用于使辅助栅的下方的半导体区域发生反型。本发明专利技术的无结型纵向隧穿场效应晶体管仅一种掺杂类型，不需要制作PN结，降低了工艺难度；更有利于器件尺寸的缩小，抑制短沟道效应，增大开关电流比；可以通过控制栅与辅助栅之间的距离区域进一步减小关态漏电，改善亚阈值斜率等特性；通过控制半导体薄膜的厚度可以有效降低隧穿长度，增大隧穿电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无结型纵向隧穿场效应晶体管，其特征在于：包括：源区、漏区、沟道区、控制栅和辅助栅，其中，所述源区、漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从源区至沟道至漏区掺杂浓度相同，所述控制栅和辅助栅分别位于所述沟道两侧并且二者至少有一部分相对，其中所述控制栅用于控制器件的导通与关闭，所述辅助栅用于使所述辅助栅的下方的半导体区域发生反型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁仁荣，姚磊，王敬，许军，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：