一种肖特基结隧穿场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明专利技术在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的硅或者其他的半导体材料从而在漏区与沟道接触面形成了一个肖特基接触，由于肖特基势垒的存在使器件沟道区的能带弯曲变得缓慢从而使增大器件的隧穿势垒宽度，并且肖特基势垒的存在有效地调节了器件沟道区和漏区的电场分布，从而降低了肖特基结附近的电场强度，因此肖特基结隧穿晶体管可以有效的抑制短沟道效应，当其特征尺寸缩小到亚10纳米后仍然具有较好的开关特性。

【技术实现步骤摘要】
201610247230

【技术保护点】
一种肖特基结隧穿场效应晶体管，特征在于，包括第一栅极(1)、源区(2)、漏区(3)、沟道区(4)、重掺杂pocket区(5)、第一栅介质层(6)、第二栅极(8)和第二栅介质层(7)；其中沟道区(4)的上下两侧分别设有第一栅介质层(6)和第二栅介质层(7)；第一栅介质层(6上方设有第一栅极(1)，第二栅介质层(7)下方设有第二栅极(8)；第一栅极(1)、第一栅介质层(6)、第二栅极(8)和第二栅介质层(7)保持上下对称；源区(2)和漏区(3)设置在沟道区(4)的两侧，重掺杂pocket区(5)在源区(2)与沟道区(4)之间。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基结隧穿场效应晶体管，特征在于，包括第一栅极(1)、源区(2)、漏区(3)、沟道区(4)、重掺杂pocket区(5)、第一栅介质层(6)、第二栅极(8)和第二栅介质层(7)；其中沟道区(4)的上下两侧分别设有第一栅介质层(6)和第二栅介质层(7)；第一栅介质层(6上方设有第一栅极(1)，第二栅介质层(7)下方设有第二栅极(8)；第一栅极(1)、第一栅介质层(6)、第二栅极(8)和第二栅介质层(7)保持上下对称；源区(2)和漏区(3)设置在沟道区(4)的两侧，重掺杂pocket区(5)在源区(2)与沟道区(4)之间。2.根据权利要求1所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，曹菲，王艳福，于成浩，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33