一种隧穿场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：源区，开设有凹槽；沟道区，设置于所述凹槽内，并连接于所述凹槽底部；漏区，设置于所述沟道区上远离所述凹槽底部的一端；外延层，形成于所述凹槽的内表面上；栅区，位于所述外延层和所述沟道区之间；栅氧层，设置于所述栅区和所述沟道区之间以及所述栅区和所述外延层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
CMOS技术是集成电路的核心器件。随着工艺技术的进步，晶体管的尺寸逐渐减小，为芯片带来速度、集成度、功耗以及成本等方面的增益。但目前，晶体管尺寸的缩减受到芯片功率密度的限制。原因主要有两个方面:(I)晶体的供电电压的缩减不能像晶体管尺寸一样缩减；(2)随着物理尺寸的减小，器件的短沟道效应等引起的泄露电流增加。为了能够进一步获得晶体管缩减带来的增益，必须降低晶体管的功耗，其最有效的途径是降低器件的供电电压。但由于MOSFET亚阈值摆幅的60mV/dec物理学限制，降低器件的阈值电压(器件阈值电压与供电电压必须一起降低以保证足够大的驱动电流)会带来器件亚阈电流的增大，使得泄露电流增大。隧穿场效应晶体管(tunnel field effect transistor，简称TFET)由于其独特的带间隧穿的量子力学工作机制，可以突破MOSFET器件的亚阈值摆幅限制，实现器件供电电压的降低。同时，TFET还具有较弱的短沟道效应、关态电流(1ff)低的优点，被认为是可以取代MOSFET的潜在器件架构。如图1所示，现有的一种隧穿场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：源区，开设有凹槽；沟道区，设置于所述凹槽内，并连接于所述凹槽底部；漏区，设置于所述沟道区上远离所述凹槽底部的一端；外延层，形成于所述凹槽的内表面上；栅区，位于所述外延层和所述沟道区之间；栅氧层，设置于所述栅区和所述沟道区之间以及所述栅区和所述外延层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨喜超，赵静，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44