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本发明公开一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：源区，开设有凹槽；沟道区，设置于所述凹槽内，并连接于所述凹槽底部；漏区，设置于所述沟道区上远离所述凹槽底部的一端；外延层，形成于所述凹槽的内表面上；栅区，位于所述外延层和所述沟道区...
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