【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括具有掺杂离子的氧化物，所述掺杂离子具有p轨道电子排布结构，且所述掺杂离子的p轨道能级高于所述氧化物中氧离子的2p轨道能级，以使得有源层的价带顶高于所述氧化物中形成的氧空位的能级。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王美丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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