本发明专利技术公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板，该低温多晶硅薄膜晶体管包括：基底；第一栅极，设置在基底上；多晶硅层，设置在基底上并覆盖第一栅极，其中，多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在多晶硅层上；其中，低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，第一栅极与第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。通过上述方式，本发明专利技术能够降低回踢电压，提升TFT效能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板。
技术介绍
LTPS TFT (low temperature poly-silicon thin film transistor)液晶显不器(Liquid Crystal Display，简称为IXD)具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点；另外，由于LTPS TFT LCD的硅结晶排列有次序，电子移动率相对高，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合、节省空间及降低驱动IC成本的目标。目前的LTPS TFT结构中，为了避免背光源(back light)的照光，在导电通道(channel)产生光电流(photo current)而造成漏电流(leakage current)，一般在玻璃基板上先镀上一层金属，作为遮光层(Light shielding layer)。但是，遮光层仅有遮光效果，其与其他导电层形成寄生电容，造成闸极的回踢电压(Vfeed-through)，进而影响 TFT 效能。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板，能够降低回踢电压，提升TFT效能。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括:基底；第一栅极，设置在所述基底上；多晶硅层，设置在所述基底上并覆盖所述第一栅极，其中，所述多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在所述多晶硅层上；其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，所述第一栅极与所述第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。其中，所述第一栅极、所述沟道区域以及所述第二栅极分别至少部分重叠。其中，进一步包括:栅极绝缘层，覆盖所述多晶硅层以及所述第二栅极；源极，设置在所述栅极绝缘层上，并通过设置在所述栅极绝缘层中的第一通孔，连接至所述源极区域；漏极，设置在所述栅极绝缘层上，并通过设置在所述栅极绝缘层中的第二通孔，连接至所述漏极区域。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括基底以及设置在所述基底上的多个像素，所述多个像素阵列排列，且每个所述像素分别包括低温多晶硅薄膜晶体管以及与所述低温多晶硅薄膜晶体管电性连接的像素电极，其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括:第一栅极，设置在所述基底上；多晶硅层，设置在所述基底上并覆盖所述第一栅极，其中，所述多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在所述多晶硅层上；其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，所述第一栅极与所述第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。其中，所述所述第一栅极、所述沟道区域以及所述第二栅极分别至少部分重叠。其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管进一步包括:栅极绝缘层，覆盖所述多晶硅层以及所述第二栅极；源极，设置在所述栅极绝缘层上，并通过设置在所述栅极绝缘层中的第一通孔，连接至所述源极区域；漏极，设置在所述栅极绝缘层上，并通过设置在所述栅极绝缘层中的第二通孔，连接至所述漏极区域；钝化层，覆盖所述栅极绝缘层、所述源极以及所述漏极；其中，所述像素电极设置在所述钝化层上并通过设置在所述钝化层中的第三通孔连接所述漏极。其中，所述薄膜晶体管基板进一步包括:多条第一扫描线，其中，每个像素中的所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述第一栅极分别电性连接一条对应的所述第一扫描线，以通过所述第一扫描线而提供所述第一电压至所述第一栅极；多条第二扫描线，其中，每个像素中的所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述第二栅极分别电性连接一条对应的所述第二扫描线，以通过所述第二扫描线而提供所述第二电压至所述第二栅极；多条数据线，其中，每个像素中的所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述源极分别电性连接一条对应的所述数据线，以在所述低温多晶硅薄膜晶体管导通时，通过所述数据线以及导通的所述低温多晶硅薄膜晶体管而将数据电压提供至所述像素电极。其中，所述第一扫描线与所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述第一栅极分别设置在同一层中；而所述第二扫描线与所述低温多晶硅薄膜晶体管的所述第二栅极分别设置在同一层中。所述薄膜晶体管基板进一步包括闸极驱动器，所述闸极驱动器包括多个闸极驱动单元，其中，每个所述闸极驱动单元分别电性连接所述第一扫描线与所述第二扫描线以同时驱动同一行排列的多个所述低温多晶硅薄膜晶体管，且每个所述闸极驱动单元分别包括:第一开关元件，其包括控制端，输入端以及输出端，其中，所述控制端电性连接时钟信号，所述输入端电性连接所述闸极驱动单元的输入端以接收闸极驱动信号，而所述输出端作为所述闸极驱动单元的第一输出端，其电性连接所述第二扫描线以输出所述第二电压至所述第二扫描线；反相器，其包括:第二开关元件，其包括控制端，输入端以及输出端，其中，所述控制端电性连接所述闸极驱动单元的输入端以接收闸极驱动信号，所述输入端电性连接第一电压源；第三开关元件，其包括控制端，输入端以及输出端，其中，所述控制端电性连接所述闸极驱动单元的输入端以接收闸极驱动信号，所述输入端电性连接第二电压源；其中，所述第二开关元件与所述第三开关元件的输出端电性连接在一起并作为所述闸极驱动单元的第二输出端，其电性连接所述第一扫描线以输出所述第一电压至所述第一扫描线。其中，所述第二开关元件为P型晶体管，而所述第三开关元件为η型晶体管；且所述第二电压源所提供的电压与所述闸极驱动单元的输入端所输入的闸极驱动信号的脉冲信号的极性相反。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术低温多晶硅薄膜晶体管包括:基底；第一栅极，设置在所述基底上；多晶硅层，设置在所述基底上并覆盖所述第一栅极，其中，所述多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在所述多晶硅层上；其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，所述第一栅极与所述第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。由于低温多晶硅薄膜晶体管包括两个栅极，且两个栅极施加极性相反的电压，通过这种方式，能够降低回踢电压，提升TFT效能。【附图说明】图1是当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底；第一栅极，设置在所述基底上；多晶硅层，设置在所述基底上并覆盖所述第一栅极，其中，所述多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在所述多晶硅层上；其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，所述第一栅极与所述第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈秋权，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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