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半导体功率元件制造技术

技术编号:11333340 阅读:80 留言:0更新日期:2015-04-23 00:46
本发明专利技术提供了一种半导体功率元件,包括闸极引脚、集极引脚、源极引脚、功率芯片、第一散热基板、闸极、源极、第一引线、第二引线、第二散热基板,集极引脚位于闸极引脚和源极引脚之间,第一散热基板与集极引脚连接在一起,闸极、源极都位于功率芯片上,功率芯片位于第一散热基板上,源极和第二散热基板之间通过一根第二引线连接,源极和源极引脚之间通过另一根第二引线连接,闸极引脚和闸极之间通过第一引线连接,第二散热基板与源极引脚连接在一起。本发明专利技术能将运作时产生的热及时导出、排除,增加其散热效能,进而避免产生雪崩现象。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体功率元件,其特征在于,包括闸极引脚、集极引脚、源极引脚、功率芯片、第一散热基板、闸极、源极、第一引线、第二引线、第二散热基板,集极引脚位于闸极引脚和源极引脚之间,第一散热基板与集极引脚连接在一起,闸极、源极都位于功率芯片上,功率芯片位于第一散热基板上,源极和第二散热基板之间通过一根第二引线连接,源极和源极引脚之间通过另一根第二引线连接,闸极引脚和闸极之间通过第一引线连接,第二散热基板与源极引脚连接在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:廖奇泊周雯
申请(专利权)人:廖奇泊周雯
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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