OLED显示基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种OLED显示基板及其制造方法。该OLED显示基板包括基板(10)、设于基板(10)上的TFT(90)、设于所述TFT(90)上的钝化层(50)、设于钝化层(50)上的平坦层(60)、设于平坦层(60)上并接触所述TFT(90)的连接电极(80)、设于平坦层(60)上并覆盖所述连接电极(80)的阳极(70)、设于阳极(70)上的有机发光层(71)、及设于有机发光层(71)上的阴极(72)；所述连接电极(80)通过贯穿所述平坦层(60)与钝化层(50)的接触孔(81)接触所述TFT(90)；所述阳极(70)通过所述连接电极(80)与所述TFT(90)电性连接；能够防止OLED显示基板上的阴极与阳极之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示基板及其制造方法。
技术介绍
到目前为止，实际应用的显示装置主要有阴极射线管(CRT)，液晶显示器(IXD)、真空荧光器件(VFD)、等离子显示器(rop)、有机电致发光器件(OLED)、场发射显示器(FED)和电致发光显示器(ELD)等。IXD、OLED等已经逐步取代CRT显示器。OLED是一种极具发展前景的显示技术，它不仅具有十分优异的显示性能，还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示
中第三代显示器件的主力军。OLED显示装置与IXD显示装置相比，具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，且其生产设备投资远小于IXD。OLED正是由于具有其它显示器不可比拟的优势以及美好的应用前景得到了的产业界和科学界的极大关注。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED (Passive Matrix, PM)和有源矩阵型0LED(Active Matrix，AM)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。如图1所示，现有的一种有源矩阵型OLED显示基板包括:基板100、设于所述基板100上的TFT、设于所述TFT层上的钝化层300、设于所述钝化层300上的平坦层400、设于所述平坦层400上的阳极500、设于所述阳极500上的有机发光层600、以及设于所述有机发光层600上的阴极(未示出)。一电极孔700于所述TFT的漏极200的上方贯穿所述平坦层400与钝化层300，从而暴露出漏极200的部分表面。所述阳极500凹入该电极孔700与所述TFT的漏极200接触，用于接收驱动信号，控制OLED发光。然而，在所述阳极500上制备有机发光层600时，会出现位于所述阳极500的凹入部分上的有机发光层600极其薄甚至不能形成的情况，若此时继续在有机发光层600上制备阴极，则非常容易造成阴极、阳极之间短路，电流集中流过该短路部分，阻止电流流过有机发光层600，造成OLED无法发光的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示基板，能够防止OLED显示基板上的阴极与阳极之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光。本专利技术的目的还在于提供一种OLED显示基板的制造方法，该制造方法简单易行，制得的OLED显示基板能够防止阴极与阳极之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光。为实现上述目的，本专利技术提供一种OLED显示基板，包括:基板、设于所述基板上的TFT、设于所述TFT上的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于所述平坦层上并接触所述TFT的连接电极、设于所述平坦层上并覆盖所述连接电极的阳极、设于所述阳极上的有机发光层、及设于所述有机发光层上的阴极；所述连接电极通过贯穿所述平坦层与钝化层的接触孔接触所述TFT ;所述阳极通过所述连接电极与所述TFT电性连接。所述连接电极包括凸出部、与填充部；所述凸出部高出所述平坦层，并被所述阳极覆盖，与所述阳极形成电性连接；所述填充部填充于所述接触孔内，并接触所述TFT，与所述TFT形成电性连接。所述连接电极的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。所述TFT包括:设于所述基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上的包括沟道区、分别设于所述沟道区两侧的源极区与漏极区的半导体层、设于所述半导体层上的栅极绝缘层、于所述沟道区上方设于所述栅极绝缘层上的栅极、设于所述栅极上的层间绝缘层、设于所述源极区上并贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层的源极、及设于所述漏极区上并贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层的漏极。所述接触孔暴露出所述漏极的部分表面，所述连接电极的填充部通过所述接触孔接触所述TFT的漏极，与所述TFT的漏极电性连接。本专利技术还提供一种OLED显示基板的制造方法，包括以下步骤:步骤1、提供一基板、在所述基板上形成TFT ;步骤2、在所述TFT上形成钝化层，在所述钝化层上形成平坦层；步骤3、对所述平坦层与钝化层进行图案化处理，形成贯穿所述平坦层与钝化层的接触孔；步骤4、在所述平坦层上沉积并图案化连接电极，使所述连接电极通过所述接触孔接触所述TFT ；步骤5、在所述平坦层上形成覆盖所述连接电极的阳极；步骤6、依次在所述阳极上形成有机发光层，在所述有机发光层上形成阴极。所述步骤I包括:步骤11、在所述基板上沉积一层缓冲层，在所述缓冲层上形成包括沟道区、分别设于所述沟道区两侧的源极区与漏极区的半导体层；步骤12、在所述半导体层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成位于所述沟道区上方的栅极，在所述栅极与栅极绝缘层上沉积层间绝缘膜；步骤13、对所述层间绝缘膜与栅极绝缘层进行图案化处理，分别在与所述源极区、漏极区相对应的位置形成贯穿所述层间绝缘膜与栅极绝缘层的过孔；再在所述层间绝缘膜上形成源极与漏极，所述源极与漏极分别通过一过孔接触所述源极区、漏极区。所述连接电极包括凸出部、与填充部；所述凸出部高出所述平坦层，并被所述阳极覆盖，与所述阳极形成电性连接；所述填充部填充于所述接触孔内，并接触所述TFT，与所述TFT形成电性连接。所述步骤3中所述接触孔形成在与所述漏极相对应的位置，暴露出漏极的部分表面。所述连接电极的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种OLED显示基板及其制造方法，通过设置连接电极，使阳极通过该连接电极与TFT电性连接，不同于现有技术中阳极通过凹入电极孔与TFT电性连接，避免了位于阳极的凹入部分上的有机发光层极其薄甚至不能形成的情况，从而能够在有机发光层上设置阴极后，防止OLED显示基板上的阴极与阳极之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光；同时增加连接电极可改善阳极与TFT漏极之间的接触阻抗，提高OLED显示基板的性能。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。【附图说明】下面结合附图，通过对本专利技术的【具体实施方式】详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为现有的一种OLED显示基板的剖视图；图2为本专利技术的OLED显示基板的剖视图；图3为本专利技术的OLED显示基板的制造方法的流程图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2，本专利技术首先提供一种OLED显示基板，包括:基板10，所述基板10为透明基板，优选的，所述基板10为玻璃基板；设于所述基板10上的TFT90 ;具体的，所述TFT90包括:设于所述基板10上的缓冲层20、设于所述缓冲层20上的包括沟道区912、分别设于所述沟道区912两侧的源极区914与漏极区916的半导体层91、设于所述半导体层91上的栅极绝缘层30、于所述沟道区912上方设于所述栅极绝缘层30上的栅极94、设于所述栅极94上的层间绝缘层40、设于所述源极区914上并贯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示基板，其特征在于，包括：基板(10)、设于所述基板(10)上的TFT(90)、设于所述TFT(90)上的钝化层(50)、设于所述钝化层(50)上的平坦层(60)、设于所述平坦层(60)上并接触所述TFT(90)的连接电极(80)、设于所述平坦层(60)上并覆盖所述连接电极(80)的阳极(70)、设于所述阳极(70)上的有机发光层(71)、及设于所述有机发光层(71)上的阴极(72)；所述连接电极(80)通过贯穿所述平坦层(60)与钝化层(50)的接触孔(81)接触所述TFT(90)；所述阳极(70)通过所述连接电极(80)与所述TFT(90)电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石龙强，刘亚伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44