离子注入设备制造技术

一种离子注入设备，其包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片；位于晶片表面一侧的至少一个第一离子注入装置，用于将离子从晶片的表面注入至晶片中；位于晶片背面一侧的至少一个第二离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，离子束所在平面与该承载框架的运动方向垂直，该承载框架用于承载晶片经过每个第一离子注入装置和每个第二离子注入装置的离子束的作用区域。所述离子注入设备通过在同一真空制程腔中在晶片的两侧设置离子注入装置来实现对晶片两个表面的离子注入，提高了加工效率，且无需设置额外的支撑装置，精简了结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊华，沈培俊，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31