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一种离子注入设备，其包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片；位于晶片表面一侧的至少一个第一离子注入装置，用于将离子从晶片的表面注入至晶片中；位于晶片背面一...
该专利属于上海凯世通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体股份有限公司授权不得商用。

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