【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种轻掺杂漏极区的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成多晶硅层、栅绝缘层、栅金属层；对栅金属层进行图案化，形成栅电极；对栅绝缘层进行刻蚀，形成台阶结构，其中，所述栅电极的宽度小于所述台阶结构的宽度，且所述台阶结构的边缘未被所述栅电极覆盖；利用所述栅电极和具有所述台阶结构的所述栅绝缘层作为掩膜，采用掺杂工艺对所述多晶硅层进行掺杂，形成轻掺杂漏极区和重掺杂漏极区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐琼，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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