本发明专利技术实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。阵列基板包括：衬底；位于衬底之上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括沟道和栅极，栅极在衬底的正投影覆盖沟道在衬底的正投影；栅极包括在第一方向上排列的第一区和第二区，在垂直于衬底方向上与第一区交叠的沟道在第二方向上的总宽度为W1，第二方向与第一方向垂直；在垂直于衬底方向上与第二区交叠的沟道在第二方向上的总宽度为W2，其中，W1/W2≤3。本发明专利技术能够改善因激光光束的后沿扫描在第一晶体管的沟道的不同位置上导致的第一晶体管的特性差异，能够减小不同像素之间驱动晶体管的阈值补偿能力的差异，提升显示均一性。提升显示均一性。提升显示均一性。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
[0002]在阵列基板中包括多个晶体管器件，晶体管的沟通位于阵列基板的半导体薄膜层中。在现有的工艺制程中，需要经过激光晶化工艺对半导体薄膜进行处理，以用作晶体管的沟道。现有的主流技术是准分子激光退火技术，其利用激光光束对非晶硅层进行扫描使得非晶硅层结晶形成多晶硅薄膜。采用准分子激光退火技术时，激光光束沿一定方向以固定的步长值步进，形成的多晶硅薄膜具有周期性晶化变化的特点，导致不同的晶体管的沟道特性会存在差异，在驱动像素发光时，导致发光亮度不同，显示区显示亮度不均。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以改善晶体管的沟道的特性差异，导致的像素亮度差异问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：
[0005]衬底；
[0006]位于衬底之上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括沟道和栅极，栅极在衬底的正投影覆盖沟道在衬底的正投影；
[0007]栅极包括在第一方向上排列的第一区和第二区，
[0008]在垂直于衬底方向上与第一区交叠的沟道在第二方向上的总宽度为W1，第二方向与第一方向垂直；
[0009]在垂直于衬底方向上与第二区交叠的沟道在第二方向上的总宽度为W2，其中，W1/W2≤3。
[0010]第二方面，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括本专利技术任意实施例提供的阵列基板。
[0011]第三方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括本专利技术任意实施例提供的显示面板。
[0012]本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置，具有如下有益效果：第一晶体管的栅极包括在第一方向排列的第一区和第二区，第一方向与激光晶化工艺中激光光束的行进方向相同，其中，与第一区交叠的沟道在第二方向上的总宽度W1和与第二区交叠的沟道在第二方向上的总宽度W2之比不大于3。则能够减小在激光晶化工艺中激光光束的后沿落在与第一区交叠的沟道内和落在与第二区交叠的沟道内造成的晶化缺陷差异，从而能够减小不同像素内第一晶体管的沟道特性差异。能够改善因激光光束的后沿扫描在第一晶体管的沟道的不同位置上导致的第一晶体管的特性差异，能够减小不同像素之间驱动晶体管的阈值补偿能力的差异，提升显示均一性。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为现有技术中激光晶化工艺示意图；
[0015]图2为本专利技术实施例提供一种阵列基板中第一晶体管的示意图；
[0016]图3为图2中切线A
‑
A
′
位置处截面示意图；
[0017]图4为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0018]图5为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0019]图6为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0020]图7为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0021]图8为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0022]图9为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0023]图10为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0024]图11为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0025]图12为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0026]图13为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板中第一晶体管示意图；
[0027]图14为本专利技术实施例提供的显示面板示意图；
[0028]图15为本专利技术实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0031]图1为现有技术中激光晶化工艺示意图。如图1所示，激光光束以步长值p沿第一方向x行进。激光光束的前边沿导致的晶化缺陷会被后续的激光脉冲修复，但激光光束的后边沿导致的晶化缺陷会呈周期性分布。对于不同的像素来说，激光光束的后沿可能会落在驱动晶体管的沟道的不同位置上；或者不同的像素中驱动晶体管的沟道被激光光束的后沿扫描的次数不同。由此导致不同的像素中驱动晶体管的性能存在差异，进而导致像素之间驱动晶体管的阈值补偿能力不同而产生亮度差异，影响显示均一性。
[0032]基于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板，通过对阵列基板中晶体管的沟道的形状进行设计，改善激光晶化工艺后不同像素之间驱动晶体管性能的差异，以提升显示均一性。
[0033]图2为本专利技术实施例提供一种阵列基板中第一晶体管的示意图，图3为图2中切线
A
‑
A
′
位置处截面示意图。
[0034]结合图2和图3来看，阵列基板包括衬底10、第一薄膜晶体管T1位于衬底10之上的。第一薄膜晶体管T1包括沟道g和栅极s，栅极s在衬底10的正投影覆盖沟道g在衬底10的正投影。其中，沟道g的制作材料包含硅。由图3可以看出，阵列基板至少包括半导体层11和第一金属层12，沟道g位于半导体层11，栅极s位于第一金属层12，在半导体层11中与栅极s交叠的区域即为第一薄膜晶体管T1的沟道g。可选的，第一薄膜晶体管T1为像素电路中的驱动晶体管。
[0035]由图2可以看出，栅极s包括在第一方向x上排列的第一区Z1和第二区Z1，其中，第一方向x为在半导体层的激光晶化工艺中激光光束的行进方向。结合图2和图3可以看出，在垂直于衬底方向e上，第一区Z1与沟道g的部分区域交叠，第二区Z2也与沟道g的部分区域交叠。
[0036]本专利技术实施例中，在垂直于衬底10的方向e上与第一区Z1交叠的沟道g在第二方向y上的总宽度为W1，在垂直于衬底10的方向e上与第二区Z2交叠的沟道在第二方向y上的总宽度为W2，其中，W1/W2≤3。第二方向y与第一方向x垂直。
[0037]如图2所示的，沟道g包括第一分部g1和第二分部g2。沟道g的第一分部本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括沟道和栅极，所述栅极在所述衬底的正投影覆盖所述沟道在所述衬底的正投影；所述栅极包括在第一方向上排列的第一区和第二区，在垂直于所述衬底方向上与所述第一区交叠的所述沟道在第二方向上的总宽度为W1，所述第二方向与所述第一方向垂直；在垂直于所述衬底方向上与所述第二区交叠的所述沟道在所述第二方向上的总宽度为W2，其中，W1/W2≤3。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道包括第一分部和第二分部，所述第一分部沿第三方向延伸，所述第二分部沿所述第一方向延伸；所述第三方向与所述第二方向之间的夹角为θ，0
°
<θ<90
°
；在垂直于所述衬底方向上，所述第一区与所述第一分部交叠，所述第二区与所述第二分部交叠；所述第一分部在所述第二方向上的宽度为W1，所述第二分部在所述第二方向上的宽度为W2。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，sinθ＝W2/W1。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，19.5
°
≤θ<90
°
。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分部在垂直于所述第三方向上的宽度为W3，其中，W3<W2。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道中所述第一分部的两端分别连接一个所述第二分部；所述第一分部的个数为n1，所述第二分部的个数为n2，其中，n1、n2均为正整数，且n1+1＝n2。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道包括第三分部和第四分部，所述第三分部沿所述第一方向延伸，所述第四分部沿所述第二方向延伸，所述第四分部的至少一端与所述第三分部相连。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述沟道中，所述第三分部的个数为m1，所述第四分部的个数为m2，m1、m2均为正整数，m1≥2，且m1≥m2。9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底方向上，所述第一区与所述第四分部和所述第三分部的部分区域交叠，所述第四分部在所述第二方向上的总长度为D1，与所述第一区交叠的所述第三分部在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴慧平，韩立静，王国兵，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。