显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括显示区域以及非显示区域；半导体层，位于所述基板的所述非显示区域且包括源极区域、沟道区域以及漏极区域；栅电极，被设置成与所述半导体层的所述沟道区域重叠，在该栅电极与所述半导体层的所述沟道区域之间设有栅极绝缘膜；源电极，与所述半导体层的所述源极区域连接；以及漏电极，与所述半导体层的所述漏极区域连接，所述栅电极的一侧面与所述漏电极重叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本公开涉及显示装置，更具体而言涉及包括静电放电电路的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置包括多个像素以及与其连接的多个信号线。各像素可以在基板上以行列排列，由此各信号线也在行方向和/或列方向上延伸。通过各信号线可能会有静电流入内部电路，所流入的静电可能会损伤显示装置内的各种电子元件。
[0003]可以将各信号线连接到静电放电电路，使得静电不会流入内部电路且迅速被放电。

技术实现思路

[0004]各实施例用于提供包括提高阈值电压来进行稳定操作的二极管的静电放电电路以及包括该静电放电电路的显示装置。
[0005]本专利技术的一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括显示区域以及非显示区域；半导体层，位于所述基板的所述非显示区域且包括源极区域、沟道区域以及漏极区域；栅电极，被设置成与所述半导体层的所述沟道区域重叠，在该栅电极与所述半导体层的所述沟道区域之间设有栅极绝缘膜；源电极，与所述半导体层的所述源极区域连接；以及漏电极，与所述半导体层的所述漏极区域连接，所述栅电极的一侧面与所述漏电极重叠。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板，包括显示区域以及非显示区域；半导体层，位于所述基板的所述非显示区域且包括源极区域、沟道区域以及漏极区域；栅电极，被设置成与所述半导体层的所述沟道区域重叠，在该栅电极与所述半导体层的所述沟道区域之间设有栅极绝缘膜；源电极，与所述半导体层的所述源极区域连接；以及漏电极，与所述半导体层的所述漏极区域连接，所述栅电极的一侧面与所述漏电极重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅电极的上表面在垂直于所述基板的方向上与所述漏电极重叠。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，与所述沟道区域重叠的所述栅电极的上表面整体在垂直于所述基板的方向上与所述漏电极重叠。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，与所述沟道区域重叠的所述栅电极的上表面的一部分在垂直于所述基板的方向上与所述漏电极重叠，与所述沟道区域重叠的所述栅电极的上表面的另一部分在垂直于所述基板的方向上不与所述漏电极重叠。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体层包括氧化物半导体。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述源电极和所述漏电极包括钛。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅电极还包括在垂直于所述基板的方向上不与所述半导体层重叠的扩展部，所述栅电极的所述扩展部和所述漏电极在垂直于所述基板的方向上重叠。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，层间绝缘膜位于所述栅电极的所述扩展部与所述漏电极之间，所述层间绝缘膜包括开口，所述栅电极的所述扩展部和所述漏电极在所述开口处彼此连接。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体层、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极构成晶体管，所述晶体管的阈值电压在0.55以上。10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：源极线，位于所述第一方向上；以及电源线，位于与所述第一方向垂直的第二方向上，所述源电极与所述源极线连接，所述漏电极和所述电源线通过连接部件连接。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，层间绝缘膜位于所述栅电极与所述漏电极之间，
所述层间绝缘膜包括开口，所述栅电极和所述漏电极在所述开...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵康文，李安洙，崔畯焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：