制造沉积掩模的方法、制造显示装置的方法以及电子装置制造方法及图纸

提供一种制造沉积掩模的方法、使用沉积掩模制造显示装置的方法以及电子装置。制造沉积掩模的方法包括：沉积第一无机层，使得第一无机层围绕基底的表面；将第二无机层沉积在第一无机层上；将光致抗蚀剂图案形成在第二无机层的设置在基底的前表面上的一部分上；通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻第二无机层的一部分和第一无机层的一部分来形成穿透第二无机层和根据预定的厚度穿入第一无机层的多个第一开口；去除光致抗蚀剂图案；将保护层沉积在包括多个第一开口的第二无机层上；以及暴露由第二无机层形成的掩模膜。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种制造沉积掩模的方法、一种使用沉积掩模制造显示装置的方法、以及一种电子装置。

技术介绍

1、已经开发了在距用户的眼睛的短距离处形成焦点的眼镜或头盔形式的可穿戴装置。例如，这样的可穿戴装置可以是头戴式显示器(hmd)或增强现实(ar)眼镜。这样的可穿戴装置可以向用户提供ar画面或虚拟现实(vr)画面。

2、诸如以hmd或ar眼镜为例的可穿戴装置可以被实现为具有每英寸大约3000像素(ppi)或更多的显示规格，使得用户可以相对长时间地使用可穿戴装置而不头晕。为此，已经提出了硅上有机发光二极管(oledos)技术，该硅上有机发光二极管(oledos)技术可以提供小型高分辨率的有机发光显示装置。oledos是一种用于将有机发光二极管(oled)放置在其上设置有互补金属氧化物半导体(cmos)的半导体晶圆基底上的技术。

3、在一些情况下，为了制造每英寸大约3000像素(ppi)或更多的高分辨率的显示面板，可能需要高分辨率沉积掩模。作为用于制造oledos显示面板的沉积掩模，正在研究一种其中无机膜沉积在硅基底上并且沉积的无机膜被图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造沉积掩模的方法，其中，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜包括通过顺序地蚀刻设置在所述基底的所述后表面上的所述保护层和所述第二无机层来形成暴露设置在所述基底的所述后表面上的所述第一无机层的表面的第一单元开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜还包括通过蚀刻设置在所述基底的所述后表面上的所述第一无机层来形成暴露所述基底的所述后表面的第二单元开口。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜还包括通过在所述第二单元开口中蚀刻所述基底来形成暴露设置在所述基底的所述前表面上的所述第...

【技术特征摘要】

1.一种制造沉积掩模的方法，其中，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜包括通过顺序地蚀刻设置在所述基底的所述后表面上的所述保护层和所述第二无机层来形成暴露设置在所述基底的所述后表面上的所述第一无机层的表面的第一单元开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜还包括通过蚀刻设置在所述基底的所述后表面上的所述第一无机层来形成暴露所述基底的所述后表面的第二单元开口。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜还包括通过在所述第二单元开口中蚀刻所述基底来形成暴露设置在所述基底的所述前表面上的所述第一无机层的第三单元开口。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述暴露所述掩模膜还包括通过蚀刻设置在所述基底的所述前表面上的所述第一无机层来形成暴露所述掩模膜的单元开口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述保护层包括覆盖所述第一无机层的通过所述多个第一开口暴露的部分，并且补偿所述第一无机层的所述部分的厚度变化。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一无机层的材料和所述保护层的材料相同。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一无机层和所述保护层中的每一者包括氧化硅。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二无机层包括氮化硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述基底包括硅。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述保护层包括使用低压化学气相沉积工艺沉积氮化硅。

【专利技术属性】
技术研发人员：金成云，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：