一种投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法及系统技术方案

本发明专利技术属于投影光场调控技术领域，具体为一种投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法及系统。根据目标结构光场和投影系统的倍率确定初始掩膜图案；采用矢量衍射成像模型计算初始生成结构光场，并计算目标函数的数值，判断是否满足预设阈值；若不满足，则采用最优梯度法对掩膜图案进行迭代优化，直至满足目标函数的预设阈值，并输出连续数值掩膜；随后根据所需的掩膜制造精度，对连续数值掩膜进行像素分裂或融合；采用局部积分近似操作，对掩膜进行二值化处理，增强掩膜的可制造性。本发明专利技术能够实现高自由度、高效率、低算力需求且鲁棒的投影式结构光场优化并获得可制造的掩膜图案，且掩膜的制造精度可任意调整，以适应不同的掩膜图案制备工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于投影生成结构光场调控，具体涉及一种投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法及系统。

技术介绍

1、现代科技的飞速发展对光学系统的性能提出了更为严苛的要求，特别是在微电子制造、生物医学成像以及高精度测量等前沿领域，光学元件的精确度和复杂程度面临着全新的挑战。以光刻技术为例，它是微纳米制造中不可或缺的核心工艺，主要通过光与光敏材料(即光刻胶)的相互作用实现图案的精确转移。这一技术不仅在半导体制造中扮演着关键角色，还被广泛应用于光芯片、光通信、集成光子、生物传感器及纳米技术等多个重要领域，成为推动现代高科技产业发展的重要驱动力。在光刻工艺中，光学临近矫正技术(opticalproximity correction,opc)是确保高精度图案转移的关键环节。随着半导体制造工艺节点不断向更小尺寸推进，光刻系统的分辨率逐渐逼近光学衍射极限，光学临近效应的影响愈发显著。这种效应主要表现为光波在传播过程中因衍射和干涉作用，导致实际成像与设计图案之间出现偏差，具体表现为边缘粗糙、线宽不均匀以及图案失真等问题。为了克服这些挑战，结构光场调控技术成为光学临近矫正的核心研本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，步骤S1中，所述初始掩膜图案Mini根据目标光场It和投影系统的缩小倍率Mag确定，Mag<1；It为一个大小为m*n的矩阵，像素尺寸为plf，Mini是一个大小为m*n的矩阵，像素尺寸为Pm，则Pm＝Mag*plf。

3.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，步骤S2中，所述生成的结构光场Ii的计算方法为：

4.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法...

【技术特征摘要】

1.一种投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，步骤s1中，所述初始掩膜图案mini根据目标光场it和投影系统的缩小倍率mag确定，mag<1；it为一个大小为m*n的矩阵，像素尺寸为plf，mini是一个大小为m*n的矩阵，像素尺寸为pm，则pm＝mag*plf。

3.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，步骤s2中，所述生成的结构光场ii的计算方法为：

4.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，步骤s2中，还采用sigmoid函数计算生成的结构光场轮廓zi，以增强所述结构光场ii的边缘对比度；所用sigmoid函数如下：

5.根据权利要求1所述的投影式结构光掩膜图案可制造性增强方法，其特征在于，步骤s3中，所述目标函数f如下：

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，张劲松，欧阳新萍，朱金龙，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：