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本发明涉及一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法，所述SiC结势垒肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底上；肖特基金属接触，形成于所述外延层上；第二导电类型的重掺杂区，形成于所述肖特基金属接触下；第二导...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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